[發明專利]一種具有選擇性探測Al3+

有效

• 申請號: 201710082934.8
• 申請日: 2017-02-16
• 公開（公告）號: CN106905535B
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發明（設計）人: 張金方;龔林培;吳俊潔;馮姣陽
• 申請（專利權）人: 江南大學
• 主分類號: C08G83/00
• 分類號: C08G83/00;C09K11/06;G01N21/64
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具有選擇性探測Al³⁺離子的發光晶體材料的制備方法，包括以下步驟：

1.1將四水合硝酸鎘和4-氨基-3,5-二(咪唑甲基)-1,2,4-三氮唑(3-abit)加入到水中攪拌制得穩定懸浮液；

1.2將1,4-萘二甲酸(1,4-ndc)加入到步驟1.1制得的懸浮液中攪拌制得穩定懸浮液；

1.3將步驟1.2中制得的懸浮液置于密閉的聚四氟乙烯反應釜中經加熱反應后緩慢降溫至室溫，產物經過濾、洗滌、干燥即得到發光晶體材料{[Cd(1,4-ndc)(3-abit)]·H₂O}_n。

2.根據權利要求1所述的一種具有選擇性探測Al³⁺離子的發光晶體材料的制備方法，其特征在于反應起始物四水合硝酸鎘，1,4-萘二甲酸，4-氨基-3,5-二(咪唑甲基)-1,2,4-三氮唑的摩爾比為1:0.5～1:0.5～1。

3.根據權利要求1所述的一種具有選擇性探測Al³⁺離子的發光晶體材料的制備方法，其特征在于四水合硝酸鎘用量為0.1mmol，水的體積范圍為8-12mL。

4.根據權利要求1所述的一種具有選擇性探測Al³⁺離子的發光晶體材料的制備方法，其特征在于加熱反應的溫度范圍為150～170℃。

5.根據權利要求1所述的一種具有選擇性探測Al³⁺離子的發光晶體材料的制備方法，其特征在于加熱反應的時間為60～80小時。

6.根據權利要求1所述的一種具有選擇性探測Al³⁺離子的發光晶體材料的制備方法，其特征在于降溫速率為2～5℃/h。