[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管外延片的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710082015.0
• 申請日: 2017-02-15
• 公開（公告）號: CN106816499B
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發(fā)明（設計）人: 楊蘭;萬林;胡加輝
• 申請（專利權(quán)）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/32;C23C16/44;C23C16/52
• 代理公司: 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發(fā)光二極管外延片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供一設有氮化鋁緩沖層的襯底并放置在反應腔中，所述反應腔內(nèi)在所述發(fā)光二極管外延片的制備過程中通入有氮氣和氫氣中的至少一種作為載氣；

將所述反應腔內(nèi)的溫度進行梯度升溫，同時增大所述載氣中氮氣相對于氫氣的體積比，所述梯度升溫包括n+1個溫度恒定階段和n個溫度提升階段，所述n+1個溫度恒定階段和所述n個溫度提升階段隨時間的增長交替出現(xiàn)，每個所述溫度提升階段的開始溫度等于前一個所述溫度恒定階段的溫度，每個所述溫度提升階段的結(jié)束溫度等于后一個所述溫度恒定階段的溫度，n為正整數(shù)；

在所述氮化鋁緩沖層上生長過渡層，所述過渡層為依次經(jīng)過第一次二維生長、三維生長和第二次二維生長的鋁鎵氮層；

在所述過渡層上依次生長非摻雜氮化鎵層、N型氮化鎵層、多量子阱層、P型電子阻擋層、P型氮化鎵層和P型接觸層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，最后一個所述溫度提升階段和最后一個所述溫度恒定階段的所述載氣為純氮氣。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，在所述將反應腔內(nèi)的溫度進行梯度升溫的過程中，若所述反應腔內(nèi)的溫度低于800℃，則所述載氣中氮氣和氫氣的體積比小于1。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，在所述將反應腔內(nèi)的溫度進行梯度升溫的過程中，若所述反應腔內(nèi)的溫度低于800℃，則所述載氣為純氫氣。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述增大所述載氣中氮氣和氫氣的體積比，包括：

保持所述載氣的體積不變，增加所述載氣中氮氣的體積，減少所述載氣中氫氣的體積。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，各個所述溫度提升階段的溫度升高速率保持不變、逐漸減小或者逐漸增大。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，相鄰兩個所述溫度恒定階段的溫度的差值各不相同。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，各個所述溫度恒定階段占用的時間為定值。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述過渡層的厚度小于或等于1.5μm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述襯底的尺寸為3英寸、4英寸、6英寸、8英寸或者2英寸。