[發(fā)明專利]測量由聲學(xué)放大器產(chǎn)生的致動聲學(xué)揚(yáng)聲器的電流的設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710082013.1
• 申請日: 2017-02-15
• 公開（公告）號: CN107105379B
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: M·克里斯蒂安·海爾;皮埃爾·韋斯
• 申請（專利權(quán)）人: L-聲學(xué)公司
• 主分類號: H04R29/00
• 分類號: H04R29/00
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 梁麗超;陳鵬

1.一種用于測量由聲學(xué)放大器產(chǎn)生的用于致動聲學(xué)揚(yáng)聲器的電流的設(shè)備，包括：

分流電阻器(1)，所述分流電阻器(1)具有串聯(lián)放置在所述聲學(xué)放大器與所述聲學(xué)揚(yáng)聲器之間的兩個端子；

具有兩個輸入端的電壓-電流轉(zhuǎn)換器(3)，所述電壓-電流轉(zhuǎn)換器(3)的兩個所述輸入端分別連接至所述分流電阻器(1)的兩個端子，所述電壓-電流轉(zhuǎn)換器(3)能夠?qū)⒖缭剿龇至麟娮杵?1)的端子的電壓差成比例地轉(zhuǎn)換成信號電流；

第一電流鏡(7)，所述第一電流鏡(7)的輸入端連接至所述電壓-電流轉(zhuǎn)換器(3)的輸出端，并且所述第一電流鏡(7)的輸出端連接至

電流-電壓轉(zhuǎn)換器(5)，使得所述電流-電壓轉(zhuǎn)換器(5)的輸出電壓與所述信號電流成比例；

所述設(shè)備另外包括：

恒定偏置電流發(fā)生器(9)，連接至所述電壓-電流轉(zhuǎn)換器(3)的兩個所述輸入端中的一個輸入端，并且所述恒定偏置電流發(fā)生器(9)的輸出端經(jīng)由第二電流鏡(11)連接至所述電流-電壓轉(zhuǎn)換器(5)，所述恒定偏置電流發(fā)生器(9)能夠產(chǎn)生偏置電流，使得所述設(shè)備以線性模式操作并且無飽和而與所述聲學(xué)放大器產(chǎn)生的電流的方向無關(guān)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述第一電流鏡和所述第二電流鏡包括：

第一電阻器(21，31)，以及

第一偏置電壓發(fā)生器(23，33)，在輸入信號連接與地面之間串聯(lián)；

第一運(yùn)算放大器(25，35)，所述第一運(yùn)算放大器(25，35)的非反相輸入端連接至所述第一電阻器的輸入信號上游，并且所述第一運(yùn)算放大器(25，35)的反相輸入端通過第二電阻器(27，37)連接在所述第一電阻器與所述第一偏置電壓發(fā)生器之間，并且所述第一運(yùn)算放大器(25，35)的輸出端連接至

MOSFET晶體管(29，39)的柵極，所述MOSFET晶體管的源極連接至所述第一運(yùn)算放大器的反相輸入端，并且產(chǎn)生鏡像電流的所述MOSFET晶體管的漏極連接至輸出焊盤。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備，其中，所述恒定偏置電流發(fā)生器包括：

第二電壓發(fā)生器(41)，能夠在第二運(yùn)算放大器(43)的非反相輸入端和第三負(fù)偏置電壓發(fā)生器(45)之間產(chǎn)生參考電壓Vref，所述第三負(fù)偏置電壓發(fā)生器(45)的第二端子接地；以及

所述第二運(yùn)算放大器的反相輸入端經(jīng)由第三電阻器(47)連接至所述第三負(fù)偏置電壓發(fā)生器以及連接至

第一n型MOSFET晶體管(49)的源極，所述第一n型MOSFET晶體管(49)的漏極傳遞所述偏置電流至輸出焊盤。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備，其中，所述電壓-電流轉(zhuǎn)換器包括：

第三運(yùn)算放大器(13)，所述第三運(yùn)算放大器(13)的反相輸入端經(jīng)由第四電阻器(15)連接至所述分流電阻器(1)的輸入端，所述第三運(yùn)算放大器(13)的非反相輸入端直接連接至所述分流電阻器的輸出端，并且所述第三運(yùn)算放大器(13)的輸出端連接至

第二n型MOSFET晶體管(17)的柵極，所述第二n型MOSFET晶體管(17)的源極連接至所述第三運(yùn)算放大器(13)的反相輸入端并且所述第二n型MOSFET晶體管(17)的漏極傳遞所述信號電流。