[發明專利]一種圖像傳感器有效
| 申請號: | 201710081615.5 | 申請日: | 2017-02-15 |
| 公開(公告)號: | CN108428706B | 公開(公告)日: | 2020-11-20 |
| 發明(設計)人: | 黃翌敏 | 申請(專利權)人: | 奕瑞影像科技(太倉)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/235;H04N5/32 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 215434 江蘇省蘇州市太*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 圖像傳感器 | ||
1.一種圖像傳感器,其特征在于,所述圖像傳感器包括:
陣列結構,所述陣列結構包括基板,及位于所述基板上方的圖像傳感器陣列;
位于所述陣列結構上方的閃爍體;
包圍所述陣列結構的反光層,其中,所述反光層設有至少一個暴露所述陣列結構的開口;
位于所述開口處的曝光探測結構;以及
位于所述反光層下方的消背散射層;
其中,所述曝光探測結構包括與所述開口相對的曝光傳感器,以及位于所述開口及曝光傳感器之間的光學膠層,其中,所述光學膠層的折射率與所述基板的折射率相近。
2.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其特征在于,所述光學膠層的折射率與所述基板的折射率相等。
3.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其特征在于,所述曝光探測結構包括與所述陣列結構連接的光電二極管。
4.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其特征在于,所述反光層包括高反膜。
5.根據權利要求4所述的圖像傳感器,其特征在于,所述高反膜包括鋁膜或銀膜。
6.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其特征在于,所述反光層的厚度為10um~0.2mm。
7.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其特征在于,所述圖像傳感器還包括包圍所述閃爍體的封裝層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





