[發明專利]光傳感器及攝像裝置在審
| 申請號: | 201710081378.2 | 申請日: | 2017-02-15 |
| 公開(公告)號: | CN107204335A | 公開(公告)日: | 2017-09-26 |
| 發明(設計)人: | 玉置德彥;德原健富 | 申請(專利權)人: | 松下知識產權經營株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/06 | 分類號: | H01L27/06;H01L31/10;H01L27/146 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司72002 | 代理人: | 徐殿軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 傳感器 攝像 裝置 | ||
1.一種光傳感器,其特征在于,
具備:
光電變換部,包括第1電極、與上述第1電極對置的第2電極、以及夾在上述第1電極與上述第2電極之間的光電變換層;
第1晶體管,具有第1柵極、第1源極及第1漏極;
連接部,將上述第1電極與上述第1柵極電連接;以及
布線層,位于上述第1晶體管與上述光電變換部之間,包括上述連接部的一部分;
上述第1晶體管,將通過向上述光電變換層的光入射而產生的、上述第1電極和上述第2電極之間的介電常數的變化所對應的電信號,從上述第1源極及上述第1漏極的一方輸出;
上述布線層包括與上述第1源極及上述第1漏極的一方連接的第1布線、和在動作時的規定期間中電位被固定的第2布線;
上述第1布線與上述連接部之間的距離小于上述第2布線與上述連接部之間的距離。
2.如權利要求1所述的光傳感器,其特征在于,
上述第2布線連接于上述第1晶體管的上述第1源極及上述第1漏極的另一方。
3.如權利要求1所述的光傳感器,其特征在于,
還包括具有第2柵極、第2源極及第2漏極的第2晶體管;
上述第2源極及上述第2漏極的一方連接于上述第1源極及上述第1漏極的上述一方;
上述第2源極及上述第2漏極的另一方連接于上述第1布線;
上述第1布線經由上述第2晶體管而連接于上述第1源極及上述第1漏極的一方。
4.如權利要求3所述的光傳感器,其特征在于,
上述第2布線連接于上述第1晶體管的上述第1源極及上述第1漏極的另一方。
5.如權利要求3所述的光傳感器,其特征在于,
上述第2布線連接于上述第2晶體管的上述第2柵極。
6.如權利要求4所述的光傳感器,其特征在于,
上述布線層還具備在動作時的規定期間中電位被固定的第3布線;
上述第3布線連接于上述第2晶體管的上述第2柵極;
上述第1布線與上述連接部之間的距離小于上述第3布線與上述連接部之間的距離。
7.如權利要求1所述的光傳感器,其特征在于,
還包括具有第2柵極、第2源極及第2漏極的第2晶體管;
上述第2源極及上述第2漏極的一方連接于上述第1源極及上述第1漏極的上述一方;
上述第2源極及上述第2漏極的另一方連接于上述第1布線;
上述第1布線連接于上述第1晶體管及上述第2晶體管之間;
上述第2布線連接于上述第2柵極。
8.如權利要求1所述的光傳感器,其特征在于,
還包括具有第2柵極、第2源極及第2漏極的第2晶體管;
上述第2源極及上述第2漏極的一方連接于上述第1源極及上述第1漏極的另一方。
9.如權利要求8所述的光傳感器,其特征在于,
上述第2布線連接于上述第2晶體管的上述第2源極及上述第2漏極的另一方。
10.如權利要求8所述的光傳感器,其特征在于,
上述第2布線連接于上述第2晶體管的上述第2柵極。
11.如權利要求9所述的光傳感器,其特征在于,
上述布線層還具備在動作時的規定期間中電位被固定的第3布線;
上述第3布線連接于上述第2晶體管的上述第2柵極;
上述第1布線與上述連接部之間的距離小于上述第3布線與上述連接部之間的距離。
12.如權利要求1~11中任一項所述的光傳感器,其特征在于,
上述第1布線位于上述連接部的上述一部分與上述第2布線之間。
13.如權利要求6或11所述的光傳感器,其特征在于,
上述第1布線位于上述連接部的上述一部分與上述第3布線之間。
14.如權利要求1所述的光傳感器,其特征在于,
在俯視中,上述第1布線將上述連接部的上述一部分包圍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





