[發明專利]消除疊層材料預混層的方法

有效

• 申請號: 201710081235.1
• 申請日: 2017-02-15
• 公開（公告）號: CN106847671B
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發明（設計）人: 王窈;高原;付秋菠;孫秀娟;郭菲;房曠
• 申請（專利權）人: 中國工程物理研究院化工材料研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 四川省成都市天策商標專利事務所 51213
• 代理人: 袁辰亮

1.一種消除疊層材料預混層的方法，其特征在于：所述的方法包括以下步驟：

當疊層材料為金屬疊層材料時，在所述金屬疊層材料的每兩種金屬材料層之間設置一層非金屬材料層或半導體材料層，將所述非金屬材料層或半導體材料層作為過渡材料，通過降低金屬材料的活性，消除所述金屬疊層材料的預混層；其中所述金屬疊層材料為金屬材料與金屬材料按照一定厚度比例交替沉積的材料，加入所述過渡材料后，組成金屬疊層的兩層金屬材料層之間為消除預混層所用的過渡材料層；或者，

當疊層材料為非金屬疊層材料時，在所述非金屬疊層材料的每兩種金屬與非金屬材料之間設置一層組成金屬氧化物的對應金屬材料層，將所述金屬材料層作為過渡材料，用于阻擋金屬與非金屬材料間的氧原子擴散，消除所述非金屬疊層材料的預混層，其中所述非金屬疊層材料為金屬材料與非金屬材料按照一定厚度比例交替沉積的材料，所述非金屬材料為金屬氧化物，而所述過渡材料則為組成金屬氧化物的對應的金屬材料，加入所述過渡材料后，組成非金屬疊層的金屬層與金屬氧化物層之間為消除預混材料層所用的過渡材料層，即為組成金屬氧化物的對應的金屬材料層。

2.根據權利要求1所述的消除疊層材料預混層的方法，其特征在于當疊層材料為金屬疊層材料時，所述過渡材料包括：石墨、金剛石、石墨烯、碳化硅、氮化硅或硅。

3.根據權利要求1所述的消除疊層材料預混層的方法，其特征在于當疊層材料為金屬疊層材料時，所述過渡材料的制備方式與所述金屬疊層材料的制備方式一致。

4.根據權利要求3所述的消除疊層材料預混層的方法，其特征在于當所述金屬疊層材料采用化學氣相沉積方法制備時，則所述過渡材料采用化學氣相沉積方法制備。

5.根據權利要求1所述的消除疊層材料預混層的方法，其特征在于當疊層材料為金屬疊層材料時，所述非金屬材料層或半導體材料層的厚度為5nm-30nm。

6.根據權利要求1所述的消除疊層材料預混層的方法，其特征在于當疊層材料為非金屬疊層材料時，所述過渡材料的制備方式與所述金屬疊層材料的制備方式一致。

7.根據權利要求6所述的消除疊層材料預混層的方法，其特征在于當所述非金屬疊層材料采用物理氣相沉積方法制備時，則所述過渡材料采用物理氣相沉積方法制備。

8.根據權利要求1所述的消除疊層材料預混層的方法，其特征在于當疊層材料為非金屬疊層材料時，所述金屬材料層的厚度為5nm-30nm。