[發(fā)明專利]發(fā)光二極管裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710081096.2 | 申請(qǐng)日: | 2011-03-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106935577A | 公開(公告)日: | 2017-07-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沈建賦;柯淙凱;陳昭興 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 晶元光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L25/075 | 分類號(hào): | H01L25/075;H01L33/62;H01L33/60;H01L33/58 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所11105 | 代理人: | 翟然 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光二極管 裝置 | ||
1.一種發(fā)光二極管裝置,包括:
第一基板,具有第一表面與相對(duì)于該第一表面的第二表面;
第一發(fā)光二極管單元,包括一第三表面與相對(duì)于該第三表面的第四表面,該第一發(fā)光二極管單元設(shè)置于該第一表面上,該第四表面鄰近該第一表面,該第三表面遠(yuǎn)離該第一表面;以及
第一導(dǎo)電連結(jié)結(jié)構(gòu),設(shè)置于該第一表面,該第一發(fā)光二極管單元透過與該第一導(dǎo)電連結(jié)結(jié)構(gòu)接合形成電性連結(jié);
其中,該第一表面與該第三表面為粗化的表面,并且該第三表面與該第一表面的粗化程度相同或不相同。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置,還包括:第二發(fā)光二極管單元設(shè)置于該第一表面上。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置,還包括:
第二基板,具有第五表面,該第一發(fā)光二極管單元設(shè)置于該第五表面上,該第一發(fā)光二極管單元位于該第二基板與該第一基板之間。
4.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管裝置,其中該第二發(fā)光二極管單元包括一第六表面,該第六表面為粗化的表面。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置,還包括:
反射結(jié)構(gòu),設(shè)置于該第一表面及/或該第二表面上。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置,其中,
該發(fā)光二極管單元中包括:
p型半導(dǎo)體層;
n型半導(dǎo)體層;以及
發(fā)光層,形成于該p型半導(dǎo)體層與該n型半導(dǎo)體層間。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管裝置,還包括:
反射結(jié)構(gòu),設(shè)置于該p型半導(dǎo)體層的表面上。
8.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管裝置,其中,
該n型半導(dǎo)體層包括該第三表面。
9.如權(quán)利要求5或7所述的發(fā)光二極管裝置,其中,該反射結(jié)構(gòu)為金屬反射層和/或分布式布拉格反射層。
10.一種發(fā)光二極管裝置,包括:
第一基板,具有第一表面與相對(duì)于該第一表面的第二表面;以及
第一發(fā)光二極管單元,以倒裝方式設(shè)置于該第一表面上;
其中,該第一表面上設(shè)置有第一導(dǎo)電連結(jié)結(jié)構(gòu);
其中,該第一發(fā)光二極管單元與該第一導(dǎo)電連結(jié)結(jié)構(gòu)接合形成電性連結(jié),
其中該第一表面和該第二表面為粗化的表面,并且該第一表面和該第二表面的粗化程度相同或不相同。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件





