[發明專利]激光剝離工序間對象物反轉檢測方法有效
| 申請號： | 201710081073.1 | 申請日： | 2017-02-15 |
| 公開（公告）號： | CN107154364B | 公開（公告）日： | 2023-06-16 |
| 發明（設計）人： | 沈亨基;金鐘明;崔東奎;高珍衡 | 申請（專利權）人： | AP系統股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京鍾維聯合知識產權代理有限公司 11579 | 代理人： | 羅銀燕 |
| 地址： | 韓國京畿道華城市東*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 激光 剝離 工序 對象 反轉 檢測 方法 | ||
1.一種激光剝離工序間對象物反轉檢測方法，用于檢測由基板和形成于基板上側的材料層構成的激光剝離對象物的反轉，其特征在于，
包括：
在工作臺上裝載激光剝離對象物的步驟；
使位移傳感器位于上述激光剝離對象物的非活性區域的步驟；
通過上述位移傳感器測定上述基板與材料層之間的高度差的步驟；以及
根據所測定的上述高度差，檢測上述激光剝離對象物是否發生反轉的步驟，
在剝離工序腔內，在剝離工序之間連續進行上述激光剝離工序間對象物反轉檢測。
2.根據權利要求1所述的激光剝離工序間對象物反轉檢測方法，其特征在于，上述位移傳感器與基板或基板及材料層的非活性區域相接觸。
3.根據權利要求1所述的激光剝離工序間對象物反轉檢測方法，其特征在于，在上述位移傳感器由單個構成的情況下，使上述基板與材料層之間的邊界部垂直地移動，來測定上述基板與材料層之間的高度差。
4.根據權利要求1所述的激光剝離工序間對象物反轉檢測方法，其特征在于，上述位移傳感器包括用于測定上述基板的高度的基板位移傳感器和用于測定上述材料層的高度的材料層位移傳感器，用于測定上述基板與材料層之間的高度差。
5.根據權利要求1所述的激光剝離工序間對象物反轉檢測方法，其特征在于，上述位移傳感器在多個位置測定高度差。
6.根據權利要求4所述的激光剝離工序間對象物反轉檢測方法，其特征在于，上述基板位移傳感器的位置處于固定狀態，僅使得上述材料層位移傳感器移動來與材料層相接觸。
7.根據權利要求1所述的激光剝離工序間對象物反轉檢測方法，其特征在于，上述位移傳感器能夠相對于上述激光剝離對象物的表面垂直或水平地進行位移。
8.根據權利要求1所述的激光剝離工序間對象物反轉檢測方法，其特征在于，上述位移傳感器不與基板或基板及材料層的非活性區域的上部相接觸。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于AP系統股份有限公司，未經AP系統股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710081073.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
