[發明專利]采用橫向雙極結型晶體管的反熔絲非易失性存儲器件有效
| 申請號： | 201710080929.3 | 申請日： | 2017-02-15 |
| 公開（公告）號： | CN107221353B | 公開（公告）日： | 2021-03-30 |
| 發明（設計）人： | 崔光一 | 申請（專利權）人： | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號： | G11C17/16 | 分類號： | G11C17/16;H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京弘權知識產權代理有限公司 11363 | 代理人： | 許偉群;李少丹 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 采用 橫向 雙極結型 晶體管 反熔絲 非易失性存儲器 | ||
1.一種反熔絲非易失性存儲器件，包括：
反熔絲存儲單元；以及
選擇晶體管，其具有雙極結型晶體管的結構，
其中，所述雙極結型晶體管的結構包括：
第一導電類型的阱區，所述阱區用作基極區，所述阱區具有彼此間隔開的第一有源區和第二有源區，所述第一有源區包括第一上部、第二上部和第三上部；
第二導電類型的第一集電極區，所述第一集電極區設置在阱區的第二上部中，其中阱區的第二上部的端部在第一方向上與阱區的第一上部的端部重疊；
第二導電類型的發射極區，所述發射極區設置在阱區的第三上部中；以及
第一導電類型的接觸區，所述接觸區設置在阱區的第二有源區中，
其中，所述反熔絲存儲單元包括在阱區的第一上部上的反熔絲絕緣層和層疊在所述反熔絲絕緣層上的柵極；
其中，所述柵極耦接到字線，所述接觸區直接耦接到阱偏置線，所述發射極區耦接到位線，以及所述第一集電極區被電浮置，以及
其中，第一導電類型是P型，而第二導電類型是N型。
2.如權利要求1所述的反熔絲非易失性存儲器件，其中，第一集電極區的一部分與反熔絲絕緣層的一部分以及柵極的一部分垂直地重疊。
3.如權利要求1所述的反熔絲非易失性存儲器件，其中，第一集電極區和發射極區沿著阱區的表面在第一方向上彼此間隔開。
4.如權利要求1所述的反熔絲非易失性存儲器件，還包括第二導電類型的第二集電極區，所述第二集電極區設置在第一集電極區中，其中第二集電極區的雜質濃度高于第一集電極區的雜質濃度。
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