[發明專利]蝕刻液及經蝕刻液加工的光掩模

有效

• 申請號: 201710080816.3
• 申請日: 2017-02-15
• 公開（公告）號: CN107085351B
• 公開（公告）日: 2022-05-31
• 發明（設計）人: 大和田拓央;石川直樹
• 申請（專利權）人: 關東化學株式會社
• 主分類號: G03F1/80
• 分類號: G03F1/80
• 代理公司: 上海一平知識產權代理有限公司 31266
• 代理人: 馬莉華;劉妍珺

1.用于光掩模的光學膜的圖案加工的蝕刻液，其中，所述光掩模用于3階以上的光刻法，所述蝕刻液僅包含硝酸二銨鈰(IV)或硫酸四鈰(IV)銨中的一種；

其中，當所述蝕刻液包含硝酸二銨鈰(IV)時，其含有選自硫酸、甲磺酸、硝酸和乙酸的1種或2種以上的酸；

當所述蝕刻液包含硫酸四鈰(IV)銨時，其含有選自硫酸、甲磺酸和硝酸的1種或2種以上的酸，并且硫酸四鈰(IV)銨的濃度為0.1質量％～4.0質量％。

2.如權利要求1所述的蝕刻液，其特征在于，光掩模具有曝光光透射率不同的第一半透光部和第二半透光部。

3.如權利要求1或2所述的蝕刻液，其中，光學膜為包含鉻和/或鉻化合物的膜。

4.如權利要求3所述的蝕刻液，其中，鉻化合物為選自鉻氧化物、鉻氮化物、鉻氧氮化物和鉻氧氮碳化物的1種或2種以上。

5.如權利要求1或2所述的蝕刻液，其中，蝕刻速度為0.1nm/分鐘以上100.0nm/分鐘以下。

6.如權利要求5所述的蝕刻液，其中，蝕刻速度為0.1nm/分鐘以上5.0nm/分鐘以下。

7.制造具備具有曝光光透射率不同的多個區域的轉印圖案的灰度掩模的方法，其中，使用權利要求1～6中的任一項所述的蝕刻液對光學膜進行圖案加工。

8.如權利要求7所述的方法，其中，圖案加工前的光學膜為遮光膜和/或半透光膜。

9.如權利要求7或8所述的方法，其中，具有半透光區域的曝光光透射率為10～70％且相互不同的多個半透光部，具有至少3階灰度。

10.灰度掩模，其中，該灰度掩模通過權利要求7～9中的任一項所述的制造方法制造。