[發(fā)明專利]一種基于阻性短路過孔的EMI抑制結(jié)構(gòu)及抑制方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710080709.0 | 申請日: | 2017-02-15 |
| 公開(公告)號: | CN106972006B | 公開(公告)日: | 2019-06-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李爾平;李永勝;祝棟柯;成萍;楊曉莉;黃銀濤;李斌 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江大學(xué) |
| 主分類號: | H01L23/552 | 分類號: | H01L23/552;H05K9/00 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200 | 代理人: | 林超 |
| 地址: | 310058 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 阻性短 路過 emi 抑制 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
1.一種基于阻性短路過孔的EMI抑制結(jié)構(gòu),其特征在于:芯片封裝基板或印刷電路板內(nèi)植入有貫穿金屬層的阻性短路過孔,使得金屬層形成電氣連接;
所述的阻性短路過孔貫穿所有金屬層,將所有金屬層連接形成阻性網(wǎng)絡(luò),為EMI噪聲電流提供路徑,從而抑制EMI;
所述阻性短路過孔是在普通過孔中淀積阻性材料并在阻性材料中填充金屬,金屬外表面均包裹有阻性材料,使得金屬和過孔壁不接觸;
所述的阻性短路過孔的表面阻抗是純阻性、感性或容性,表面阻抗為5~50Ω。
2.一種基于阻性短路過孔的EMI抑制方法,其特征在于:在芯片封裝基板或印刷電路板內(nèi)植入阻性短路過孔,使過孔貫穿的金屬層形成電氣連接;
所述的阻性短路過孔貫穿所有金屬層,將所有金屬層連接形成阻性網(wǎng)絡(luò),為EMI噪聲電流提供路徑,從而抑制EMI;
所述阻性短路過孔是在普通過孔中淀積阻性材料并在阻性材料中填充金屬,金屬外表面均包裹有阻性材料,使得金屬和過孔壁不接觸;
所述的阻性短路過孔的表面阻抗是純阻性、感性或容性,表面阻抗為5~50Ω。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EMI抑制結(jié)構(gòu)或者權(quán)利要求2所述的EMI抑制方法,其特征在于:所述芯片封裝基板或印刷電路板內(nèi)至少包含兩層以上金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EMI抑制結(jié)構(gòu)或者權(quán)利要求2所述的EMI抑制方法,其特征在于:所述EMI包括所有板內(nèi)諧振引起的對外電磁輻射和干擾。
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