[發明專利]存儲裝置

有效

• 申請號: 201710080698.6
• 申請日: 2017-02-15
• 公開（公告）號: CN107808681B
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發明（設計）人: 岸達也;稻場恒夫;渡邊大輔;中山昌彥;尾形誠之;都甲大;相川尚德;小瀨木淳一;永瀨俊彥;李永民;澤田和也
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 劉靜;段承恩

1.一種存儲裝置，具備：

磁阻元件，其包括第1磁性層、第2磁性層以及設置在所述第1磁性層與所述第2磁性層之間的非磁性層；和

寫入電路，其控制第1寫入和第2寫入，使電流脈沖在所述磁阻元件中流動，所述第1寫入使所述第1磁性層的磁化和所述第2磁性層的磁化成為平行狀態，所述第2寫入使所述第1磁性層的磁化和所述第2磁性層的磁化成為反平行狀態，

所述第1寫入所使用的第1脈沖模式與所述第2寫入所使用的第2脈沖模式不同，

所述第1脈沖模式包括n個脈沖，所述n為2以上的整數，

所述第1脈沖模式在所述n個脈沖之間具有多個間隔。

2.根據權利要求1所述的存儲裝置，

所述第2脈沖模式包括單個脈沖。

3.根據權利要求1所述的存儲裝置，

所述第2脈沖模式整體的寬度與所述第1脈沖模式整體的寬度大致相同。

4.根據權利要求1所述的存儲裝置，

所述n個脈沖中的2個脈沖彼此的電流電平不同。

5.根據權利要求1所述的存儲裝置，

所述多個間隔中的2個間隔彼此的電流電平不同。

6.根據權利要求1所述的存儲裝置，

所述n個脈沖中的2個脈沖彼此的寬度不同。

7.根據權利要求1所述的存儲裝置，

所述多個間隔中的2個間隔彼此的長度不同。

8.根據權利要求1所述的存儲裝置，

所述第1脈沖模式具有第1電流電平和與所述第1電流電平不同的第2電流電平。

9.根據權利要求1所述的存儲裝置，還具備：

與所述磁阻元件的第1端子電連接的第1布線；和

與所述磁阻元件的第2端子電連接的第2布線，

所述寫入電路使所述電流脈沖在所述第1布線與所述第2布線之間流動。

10.一種存儲裝置，具備：

磁阻元件，其包括第1磁性層、第2磁性層以及設置在所述第1磁性層與所述第2磁性層之間的非磁性層；和

寫入電路，其控制第1寫入和第2寫入，使寫入電流在所述磁阻元件中流動，所述第1寫入使所述第1磁性層的磁化和所述第2磁性層的磁化成為平行狀態，所述第2寫入使所述第1磁性層的磁化和所述第2磁性層的磁化成為反平行狀態，

所述第1寫入中的第1寫入電流具有第1脈沖和附加于所述第1脈沖的第2脈沖，

所述第2脈沖的寬度比所述第1脈沖的寬度短，

所述第2脈沖的電流電平與所述第1脈沖的電流電平不同，

在所述第2寫入中使用單個寫入脈沖。

11.根據權利要求10所述的存儲裝置，

所述第2脈沖的電流電平比所述第1脈沖的電流電平高。

12.根據權利要求10所述的存儲裝置，

所述第2脈沖的電流電平比所述第1脈沖的電流電平低。

13.根據權利要求10所述的存儲裝置，

所述寫入電流還具有附加于所述第1脈沖的第3脈沖，所述第3脈沖為輔助脈沖，

所述第3脈沖的寬度比所述第1脈沖的寬度短，

所述第3脈沖的電流電平與所述第1脈沖的電流電平不同。

14.根據權利要求13所述的存儲裝置，

所述第2脈沖的電流電平比所述第1脈沖的電流電平高，

所述第3脈沖的電流電平比所述第1脈沖的電流電平低。