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[發明專利]一種二硫化鉬納米片電化學傳感器及其制備方法與應用有效

專利信息
申請號: 201710080499.5 申請日: 2017-02-15
公開(公告)號: CN106841351B 公開(公告)日: 2019-07-19
發明(設計)人: 高慶生;蔡懷鴻;郭煜林 申請(專利權)人: 暨南大學
主分類號: G01N27/327 分類號: G01N27/327;G01N27/26
代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 代理人: 蘇運貞
地址: 510632 廣*** 國省代碼: 廣東;44
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摘要:
搜索關鍵詞: 一種 二硫化鉬 納米 電化學傳感器 及其 制備 方法 應用
【權利要求書】:

1.一種二硫化鉬納米片電化學傳感器,包括玻碳電極基底、電極引線和絕緣層,其特征在于:所述的玻碳電極基底表面涂覆有硫脲修飾的二硫化鉬納米片,所述的硫脲修飾的二硫化鉬納米片與GE11多肽連接;

所述的二硫化鉬納米片電化學傳感器通過如下方法制備得到:

(1)將硫脲修飾的二硫化鉬納米片超聲分散在混合溶液A中,得到硫脲修飾的二硫化鉬分散液,其中,混合溶液A由全氟磺酸溶液、PVDF溶液和乙醇溶液組成;

(2)將步驟(1)中得到的硫脲修飾的二硫化鉬分散液凃覆在玻碳電極上,干燥,得到涂覆有硫脲修飾的二硫化鉬分散液的玻碳電極;

(3)將步驟(2)中得到的涂覆有硫脲修飾的二硫化鉬分散液的玻碳電極浸泡在由PBS緩沖液、GE11多肽和EDC·HCl組成的混合溶液B中,4℃保存,得到二硫化鉬納米片電化學傳感器;

步驟(1)中硫脲修飾的二硫化鉬納米片添加量為按每mL混合溶液A配比4mg硫脲修飾的二硫化鉬納米片計算;

步驟(1)中所述混合溶液A中全氟磺酸溶液、PVDF溶液和乙醇溶液按體積比4:3:100配比計算。

2.根據權利要求1所述的二硫化鉬納米片電化學傳感器,其特征在于:所述的硫脲修飾的二硫化鉬納米片通過如下方法制備得到:將鉬酸鹽和硫源溶解于水中,然后將溶液在微波輻射條件下加熱至220℃進行反應,洗滌、離心、干燥,得到硫脲修飾的二硫化鉬納米片。

3.根據權利要求1或2所述的二硫化鉬納米片電化學傳感器,其特征在于:所述的硫脲修飾的二硫化鉬納米片的尺寸為200~300nm。

4.根據權利要求2所述的二硫化鉬納米片電化學傳感器,其特征在于:所述的硫源和鉬酸鹽按摩爾比為12:1進行配比;所述的鉬酸鹽為四水合鉬酸銨;所述的硫源為硫脲;所述的反應的時間為10分鐘。

5.權利要求1~4任一項所述的二硫化鉬納米片電化學傳感器的制備方法,其特征在于包括如下步驟:

(1)將硫脲修飾的二硫化鉬納米片超聲分散在混合溶液A中,得到硫脲修飾的二硫化鉬分散液,其中,混合溶液A由全氟磺酸溶液、PVDF溶液和乙醇溶液組成;

(2)將步驟(1)中得到的硫脲修飾的二硫化鉬分散液凃覆在玻碳電極上,干燥,得到涂覆有硫脲修飾的二硫化鉬分散液的玻碳電極;

(3)將步驟(2)中得到的涂覆有硫脲修飾的二硫化鉬分散液的玻碳電極浸泡在由PBS緩沖液、GE11多肽和EDC·HCl組成的混合溶液B中,4℃保存,得到二硫化鉬納米片電化學傳感器;

步驟(1)中硫脲修飾的二硫化鉬納米片添加量為按每mL混合溶液A配比4mg硫脲修飾的二硫化鉬納米片計算;

步驟(1)中所述混合溶液A中全氟磺酸溶液、PVDF溶液和乙醇溶液按體積比4:3:100配比計算。

6.根據權利要求5所述的二硫化鉬納米片電化學傳感器的制備方法,其特征在于:

步驟(1)中所述的PVDF溶液通過如下方法制備得到:將PVDF溶解于N-甲基吡咯烷酮中,攪拌,得到PVDF溶液;

所述的N-甲基吡咯烷酮的添加量為按每g PVDF配比12mL N-甲基吡咯烷酮計算;

步驟(2)中所述的涂覆通過如下方法實現:取硫脲修飾的二硫化鉬分散液,采用滴凃的涂覆方法,均勻地涂覆在潔凈的玻碳電極的表面。

7.根據權利要求5所述的二硫化鉬納米片電化學傳感器的制備方法,其特征在于:

步驟(1)中所述的超聲的時間為30分鐘;

步驟(2)中所述的干燥為在室溫條件下自然干燥;

步驟(3)中所述的保存的時間為2.5小時。

8.權利要求1~4任一項所述的二硫化鉬納米片電化學傳感器在生物醫學領域中的應用。

9.權利要求1~4任一項所述的二硫化鉬納米片電化學傳感器在細胞檢測中的應用。

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