[發明專利]一種石墨烯改性氧化鋯陶瓷坩鍋及其制備方法在審
| 申請號: | 201710080107.5 | 申請日: | 2017-02-15 |
| 公開(公告)號: | CN106810250A | 公開(公告)日: | 2017-06-09 |
| 發明(設計)人: | 沈鴻飛 | 申請(專利權)人: | 上海可盛硅酸鹽新材料有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/48 | 分類號: | C04B35/48;C04B35/622 |
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| 地址: | 201822 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 石墨 改性 氧化鋯 陶瓷 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及坩堝技術領域,具體涉及一種石墨烯改性氧化鋯陶瓷坩堝及其制備方法。
背景技術
氧化鋯坩堝耐高溫,是熔煉貴金屬及合金的最優器皿,但由于氧化鋯熱導率只有2.09W/m·K,傳熱效率不高的同時,也極易在高頻爐的急冷急熱中破裂,不僅使得本身使用坩堝的成本增加,而且坩堝破裂后,會使得貴金屬和高溫合金的流失,造成浪費。
發明內容
為解決現有技術存在的問題,本發明提供一種石墨烯改性氧化鋯陶瓷坩鍋及其制備方法,能夠提高熱導率,延長坩堝使用壽命,降低熔煉成本。
為實現上述目的,本發明采用的技術方案為:
一種石墨烯改性氧化鋯陶瓷坩堝,包括氧化鋯和石墨烯。
一種石墨烯改性氧化鋯陶瓷坩堝的制備方法,包括以下步驟:
1)將氧化鋯和石墨烯按照質量配比98.5:1.5混合均勻,然后將混合物放入球磨機里進行濕法球磨26小時,靜置2小時;
2)調節漿料的pH值在7~8,漿料溫度在45±1℃,倒入石膏模中注漿,等坯體從模具中脫落后,取出,自然干燥100小時,修坯,然后放入爐中,待燒結;
3)燒結:在空氣中,6個小時從室溫升到1000℃,然后3個小時從1000℃升到1650~1750℃,保溫2個小時,即獲得石墨烯改性氧化鋯陶瓷坩堝。
所述氧化鋯中含有8%的氧化鈣。
所述步驟1)中所述的濕法球磨是去離子水為球磨介質。
本發明的有益效果:
本發明提供了一種石墨烯改性氧化鋯陶瓷坩堝及其制備方法,采用石墨烯與氧化鋯混合,得到的坩堝熱導率提升到了65W/m·K,增加了熱穩定性,使坩堝的使用壽命提高了5-6倍,降低了熔煉成本。
具體實施方式
為使本發明實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解,下面結合具體實施方式,進一步闡述本發明。
實施例1
一種石墨烯改性氧化鋯陶瓷坩堝,包括氧化鋯和石墨烯。
一種石墨烯改性氧化鋯陶瓷坩堝的制備方法,包括以下步驟:
1)將氧化鋯(含8%的氧化鈣)和石墨烯按照98.5:1.5的質量配比混合均勻,然后將混合物放入球磨機里進行濕法球磨26小時,靜置2小時;
2)調節漿料的pH值在7~8,漿料溫度在45℃時,倒入石膏模中注漿,等坯體從模具中脫落后,取出,自然干燥100小時,修坯,然后放入爐中,待燒結;
3)燒結:在空氣中,6個小時從室溫升到1000℃,然后3個小時從1000℃升到1680℃,保溫2個小時,即獲得石墨烯改性氧化鋯陶瓷坩堝。
實施例2
一種石墨烯改性氧化鋯陶瓷坩堝,包括氧化鋯和石墨烯。
一種石墨烯改性氧化鋯陶瓷坩堝的制備方法,包括以下步驟:
1)將氧化鋯(含8%的氧化鈣)和石墨烯按照98.5:1.5的質量配比混合均勻,然后將混合物放入球磨機里進行濕法球磨26小時,靜置2小時;
2)調節漿料的pH值在7~8,漿料溫度在45.5℃時,倒入石膏模中注漿,等坯體從模具中脫落后,取出,自然干燥100小時,修坯,然后放入爐中,待燒結;
3)燒結:在空氣中,6個小時從室溫升到1000℃,然后3個小時從1000℃升到1700℃,保溫2個小時,即獲得石墨烯改性氧化鋯陶瓷坩堝。
實施例3
一種石墨烯改性氧化鋯陶瓷坩堝,包括氧化鋯和石墨烯。
一種石墨烯改性氧化鋯陶瓷坩堝的制備方法,包括以下步驟:
1)將氧化鋯(含8%的氧化鈣)和石墨烯按照98.5:1.5的質量配比混合均勻,然后將混合物放入球磨機里進行濕法球磨26小時,靜置2小時;
2)調節漿料的pH值在7~8,漿料溫度在44.8℃時,倒入石膏模中注漿,等坯體從模具中脫落后,取出,自然干燥100小時,修坯,然后放入爐中,待燒結;
3)燒結:在空氣中,6個小時從室溫升到1000℃,然后3個小時從1000℃升到1730℃,保溫2個小時,即獲得石墨烯改性氧化鋯陶瓷坩堝。
本具體實施方式得到的石墨烯改性氧化鋯陶瓷坩堝,熱導率提升到了65W/m·K,增加了熱穩定性,使坩堝的使用壽命提高了5-6倍,降低了熔煉成本。
以上顯示和描述了本發明的基本原理和主要特征和本發明的優點。本行業的技術人員應該了解,本發明不受上述實施例的限制,上述實施例和說明書中描述的只是說明本發明的原理,在不脫離本發明精神和范圍的前提下,本發明還會有各種變化和改進,這些變化和改進都落入要求保護的本發明范圍內。本發明要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。
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