[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710079574.6
• 申請(qǐng)日: 2017-02-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107154425A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-09-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 松浦仁
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/06
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/06;H01L29/417;H01L29/739
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所11038
• 代理人: 金曉

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

半導(dǎo)體襯底，具有第一主表面和在所述第一主表面的相對(duì)側(cè)的第二主表面；和

單元區(qū)域，其中在平面視圖中在所述半導(dǎo)體襯底的所述第一主表面?zhèn)?，線狀有源單元區(qū)域和線狀空穴集電極單元區(qū)域在第一方向上彼此間隔開(kāi)地交替地布置，

其中所述線狀有源單元區(qū)域由在與所述第一方向正交的第二方向上彼此間隔開(kāi)布置的多個(gè)分開(kāi)的有源單元區(qū)域形成，

其中每個(gè)分開(kāi)的有源單元區(qū)域具有

第一溝槽，圍繞所述分開(kāi)的有源單元區(qū)域的外圍、設(shè)置有從所述第一主表面起的第一深度，

第一溝槽柵極電極，隔著第一柵極絕緣膜布置在第一溝槽內(nèi)部，

第一導(dǎo)電類(lèi)型的第一體區(qū)域，在所述分開(kāi)的有源單元區(qū)域中、設(shè)置有從所述第一主表面起的第二深度，和

與所述第一導(dǎo)電類(lèi)型不同的第二導(dǎo)電類(lèi)型的發(fā)射極區(qū)域，在所述分開(kāi)的有源單元區(qū)域中、設(shè)置有從所述第一主表面起比第二深度深的第三深度，

其中所述線狀空穴集電極單元區(qū)域由在所述第二方向上彼此間隔開(kāi)布置的多個(gè)分開(kāi)的空穴集電極單元區(qū)域形成，

其中所述分開(kāi)的空穴集電極單元區(qū)域具有

第二溝槽，圍繞所述分開(kāi)的空穴集電極單元區(qū)域的外圍、設(shè)置有從所述第一主表面起的第四深度，

第二溝槽柵極電極，隔著第二柵極絕緣膜設(shè)置在所述第二溝槽內(nèi)部，以及

第一導(dǎo)電類(lèi)型的第二主體區(qū)域，在所述分開(kāi)的空穴集電極單元區(qū)域中設(shè)置有從所述第一主表面起的第五深度，以及

其中在第一方向上彼此相鄰的所述線狀有源單元區(qū)域和所述線狀空穴集電極單元區(qū)域之間、在第二方向上彼此相鄰的分開(kāi)的有源單元區(qū)域之間以及在第二方向上彼此相鄰的分開(kāi)的空穴集電極單元區(qū)域之間的半導(dǎo)體襯底中設(shè)置有第一導(dǎo)電類(lèi)型的浮置區(qū)域，所述浮置區(qū)域具有從所述第一主表面起比所述第二深度和所述第五深度深的第六深度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

一個(gè)或多個(gè)第三溝槽，在所述第二方向上延伸并設(shè)置有從主表面起的第七深度、在所述第二方向上彼此相鄰的所述分開(kāi)的有源單元區(qū)域之間；和

第三溝槽柵極電極，隔著第三柵極絕緣膜設(shè)置在第三溝槽內(nèi)部，

其中所述第三溝槽耦接到分別位于所述第三溝槽的在第二方向上的兩側(cè)的所述分開(kāi)的有源單元區(qū)域的所述第一溝槽，和

其中所述第三溝槽柵極電極電耦接到分別位于第三溝槽柵極的在所述第二方向上的兩側(cè)的所述分開(kāi)的有源單元區(qū)域的所述第一溝槽柵極電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

其中所述分開(kāi)的有源單元區(qū)域位于在所述第二方向上彼此相鄰的分開(kāi)的空穴收集單元區(qū)域之間設(shè)置的所述浮置區(qū)域的在第一方向上的兩側(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

其中所述發(fā)射極區(qū)域在所述第二方向上的寬度大于其中沒(méi)有形成所述發(fā)射極區(qū)域的區(qū)域在所述第二方向上的寬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

其中所述發(fā)射極區(qū)域不設(shè)置在位于所述單元區(qū)域的最外圍的所述線狀有源單元區(qū)域中。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

其中每個(gè)分開(kāi)的有源單元區(qū)域還具有第一接觸溝槽，所述第一接觸溝槽設(shè)置有從主表面起比所述第三深度深的第八深度，

其中每個(gè)所述分開(kāi)的空穴集電極單元區(qū)域還具有第二接觸溝槽，所述第二接觸溝槽設(shè)置有從主表面起的第九深度，

其中所述第一接觸溝槽在所述第一方向上的寬度小于在所述第一方向上彼此相鄰的所述第一溝槽的內(nèi)側(cè)表面之上的間隔，

其中所述第二接觸溝槽在所述第一方向的寬度大于在所述第一方向上彼此相鄰的所述第二溝槽的內(nèi)側(cè)表面之上的間隔，以及

其中第一電極嵌入在所述第一接觸溝槽內(nèi)部和所述第二接觸溝槽內(nèi)部。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，

其中所述第二接觸溝槽在所述第一方向上的寬度大于所述第一接觸溝槽在所述第一方向上的寬度。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，

其中所述第二接觸溝槽在所述第一方向上的寬度小于在所述第一方向上彼此相鄰的所述第二溝槽的外側(cè)表面的間隔。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，

其中在所述第一方向上彼此相鄰的兩個(gè)第二溝槽柵極電極突出到所述第二接觸溝槽的下端部分。