[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710079113.9
• 申請日: 2017-02-14
• 公開（公告）號: CN106887429B
• 公開（公告）日: 2019-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃沖;李志國
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L27/11502;H01L21/266
• 代理公司: 31237 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 屈蘅<國際申請>=<國際公布>=<進(jìn)入國

1.一種半導(dǎo)體存儲器件的制造方法，其特征在于，包括步驟：

提供一半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上具有第一介質(zhì)層；

在半導(dǎo)體襯底對應(yīng)字線區(qū)的位置上形成第一光罩，定義字線區(qū)的位置，并光刻形成第一掩模圖形；

側(cè)向刻蝕第一掩模圖形；

對所述第一介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，形成第一硬掩膜圖形，以暴露出位于所述字線區(qū)和浮柵區(qū)之間的間隙區(qū)；

進(jìn)行離子注入，形成第一摻雜區(qū)；

在半導(dǎo)體襯底上形成第二介質(zhì)層；

在第二介質(zhì)層上形成第二光罩，定義所述浮柵區(qū)的位置，并光刻形成第二掩模圖形；

刻蝕第二介質(zhì)層形成多個第二硬掩模圖形；

進(jìn)行離子注入，形成第二摻雜區(qū)；

其中，所述第一摻雜區(qū)離子注入和第二摻雜區(qū)離子注入的面積100％覆蓋整個存儲單元區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件的制造方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層為氮化硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件的制造方法，其特征在于，所述第二介質(zhì)層為氮化硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件的制造方法，其特征在于，所述第一掩膜圖形和第二掩模圖形為光刻膠材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件的制造方法，其特征在于，所述第一掩模圖形側(cè)向刻蝕是采用氧氣灰化的工藝。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件的制造方法，其特征在于，所述第一掩模圖形去除是采用紫外線照射。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件的制造方法，其特征在于，所述第一硬掩膜圖形刻蝕是采用干法等離子體刻蝕。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件的制造方法，其特征在于，所述第二硬掩模圖形刻蝕是采用干法等離子體刻蝕。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件的制造方法，其特征在于，在離子注入形成存儲區(qū)之后還包括去除第二掩模圖形。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體存儲器件的制造方法，其特征在于，所述去除第二掩模圖形是采用氧氣灰化的工藝。