[發明專利]一種無液相條件下高性能各向異性釹鐵硼磁體的制備方法

有效

• 申請號: 201710078619.8
• 申請日: 2017-02-14
• 公開（公告）號: CN108428542B
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發明（設計）人: 杜娟;王鳳青;張中佳;劉平;張雷
• 申請（專利權）人: 中國科學院寧波材料技術與工程研究所
• 主分類號: H01F41/02
• 分類號: H01F41/02;H01F1/057;B22F3/14;B22F3/24
• 代理公司: 寧波元為知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 33291
• 代理人: 單英

1.一種無液相條件下高性能各向異性釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

①將納米晶釹鐵硼粉末經熱壓處理得到各向同性磁體；

②在變形過程中保證磁體中任何組分都不熔化，以及沒有液相滲入磁體，將各向同性磁體進行低速熱變形或蠕變熱變形，制備各向異性磁體；

所述的低速熱變形或者蠕變熱變形的變形速率為1×10^-6s^-1～4×10^-4s^-1；

所述的變形速率是指沿著壓力方向，在單位時間內的變形率，其計算方法為變形速率＝ΔH/H₀/Δt，其中，H₀指代沿著壓力方向的初始高度，ΔH指代沿著壓力方向變形Δt時間的變形高度。

2.如權利要求1所述的無液相條件下高性能各向異性釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于：所述的納米晶釹鐵硼粉末為單相釹鐵硼快淬磁粉或球磨磁粉。

3.如權利要求1所述的無液相條件下高性能各向異性釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于：所述的納米晶釹鐵硼粉末是完全晶態，或者其中包含部分非晶態。

4.如權利要求1所述的無液相條件下高性能各向異性釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于：所述的納米晶釹鐵硼粉末的晶粒小于100nm。

5.如權利要求1所述的無液相條件下高性能各向異性釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于：所述的步驟①的制備過程如下：

將納米晶釹鐵硼粉末放入熱壓模具中，將熱壓模具放入真空熱壓爐內，并抽真空至真空度優于7×10^-2Pa，然后升溫至壓制溫度進行熱壓，得到各向同性的磁體。

6.如權利要求5所述的無液相條件下高性能各向異性釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于：所述的壓制溫度為500～750℃。

7.如權利要求5所述的無液相條件下高性能各向異性釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于：升溫至壓制溫度的升溫速率為50～250℃/min。

8.如權利要求5所述的無液相條件下高性能各向異性釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于：壓制時保壓一定時間，保壓時間為3min～40min。

9.如權利要求1所述的無液相條件下高性能各向異性釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于：所述的步驟②的制備過程如下：

將各向同性磁體直接放入模具，或者根據需要放入金屬包套后再放入模具中，抽真空至真空度優于7×10^-2Pa或抽真空后充入高于10²Pa氬氣作為保護氣體，然后升溫至變形溫度，在變形溫度下進行壓制變形。

10.如權利要求9所述的無液相條件下高性能各向異性釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于：所述的變形溫度為450～650℃。

11.如權利要求10所述的無液相條件下高性能各向異性釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于：所述的變形溫度為500～550℃。

12.如權利要求10所述的無液相條件下高性能各向異性釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于：升溫至變形溫度的升溫速率為10～150℃/min。

13.如權利要求10所述的無液相條件下高性能各向異性釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于：變形前在變形溫度預保溫1～30min。

14.如權利要求10所述的無液相條件下高性能各向異性釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于：變形結束后保溫保壓1～10min。