[發明專利]激光切割用膜基材、激光切割用膜以及電子部件的制造方法

有效

• 申請號: 201710077961.6
• 申請日: 2012-12-20
• 公開（公告）號: CN107057594B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 中野重則;錦織雅弘;橋本芳惠;宮下雄介
• 申請（專利權）人: 三井-陶氏聚合化學株式會社
• 主分類號: C09J7/29
• 分類號: C09J7/29;C08L23/08;H01L21/683;B32B27/32;B32B27/30;B32B27/08
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍;牛蔚然

本發明涉及激光切割用膜基材、激光切割用膜以及電子部件的制造方法。本發明提供一種厚度為50μm以上200μm以下的范圍，初期應力為9MPa以上19MPa以下的范圍，擴張率為102％以上120％以下的范圍，霧度值為10以下，全光線透過率為90％以上的隱形切割用膜基材。

本申請是申請日為2012年12月20日、發明名稱為“激光切割用膜基材、激光切割用膜以及電子部件的制造方法”的中國發明專利申請No.201280064243.0(PCT申請號為PCT/JP2012/083154)的分案申請。

技術領域

本發明涉及一種隱形切割(stealth dicing)用膜基材，以及使用該膜基材的隱形切割用膜和電子部件的制造方法。

背景技術

在切割半導體晶片(wafer)時，一邊使用冷卻水和洗滌水，一邊通過切割刀切斷晶片，并在接下來的擴張工序中，對切斷的晶片所對應的切割用膜進行擴張，從而進行芯片的小片化。這時，通過切割用膜固定半導體晶片，防止芯片的飛散。

另一方面，作為半導體晶片的切割方法，已經提出了通過激光來切割半導體晶片的方法(例如，參見日本特開2007－245173號公報)。對于利用激光的切割法，一直以來已知有將激光聚集在晶片表面上，使晶片表面吸收激光，從而挖開溝的表面燒蝕方式。近年來，還提出了將激光聚集在晶片內部形成改性區域后，通過拉伸與晶片對應的切割用膜，從而以前述改性區域為起點分割晶片的方法(例如，隱形切割法)。

在利用激光的切割法中，在隔著切割用膜照射激光時，為了不阻礙照射的激光而分切晶片，要求切割用膜具有高透明性。此外，對于切割用膜，還要求具有激光照射后的晶片分切可以良好進行的性狀。

在與上述情況的相關事項中，作為有關利用激光的切割法的技術，例如，已經公開了包含具有規定的拉伸彈性模量、粘合力等的粘合層和具有規定的拉伸彈性模量的基材層，并且擴張率和霧度處于規定范圍內的切割膜(例如，參見日本特開2011－61097號公報)。通過該切割膜，可以得到高分切率。

作為使用離子交聯聚合物的切割技術，已經公開了具備含有鉀離子交聯聚合物的層的切割帶用基材(例如，參見日本特開2011－40449號公報)。根據該切割帶用基材，在抗靜電性能方面優異。此外，還公開了具有以離子鍵樹脂作為原料聚合物并配合了規定的結晶分散劑的基礎片材和粘合劑層的半導體晶片用片材(例如，參見日本特開2000－273416號公報和日本特開2000－345129號公報)。根據該半導體晶片用片材，可以得到擴展(expand)均勻性。

此外，作為使用含離子交聯聚合物的交聯樹脂的切割技術，作為其基材膜，記載了通過使維卡軟化點和由熱收縮所產生的應力增大處于規定范圍，從而在加熱收縮工序后不會因松弛產生問題的切割膜(例如，參見日本特開2011－216508號公報)。此外，從防止須狀切削屑的絲狀化的觀點考慮，還公開了一種用鋅或鎂等金屬離子進行交聯得到的離子鍵樹脂(例如，參見日本特開2011－210887號公報)。

進而，公開了一種在使用了EMAA的30μm厚的粘合劑涂布層和使用了低密度聚乙烯的30μm厚的擴展接觸層之間，配置了含有結晶性聚丙烯的40μm厚的中間層的3層結構的晶片切割帶用基材(例如，參見日本特開2003－158098號公報)。根據該晶片切割帶用基材，在均勻擴張性方面優異。此外，還公開了一種在使用了低密度聚乙烯的2層之間，配置了使用了乙烯－甲基丙烯酸－(丙烯酸2－甲基－丙酯)3元共聚物或其鋅離子鍵樹脂的中心層的3層結構的半導體晶片固定用粘合帶(例如，參見日本特開平7－230972號公報)。根據該半導體晶片固定用粘合帶，可以防止擴展時的頸縮和在拾取針(pickup pin)上的附著。

發明內容