[發明專利]有機薄膜晶體管與顯示裝置

有效

• 申請號: 201710077375.1
• 申請日: 2017-02-14
• 公開（公告）號: CN108428796B
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 陳柏煒;唐文忠;許毓麟
• 申請（專利權）人: 元太科技工業股份有限公司
• 主分類號: H01L51/10
• 分類號: H01L51/10;H01L51/05;H01L27/32
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

本發明公開了一種有機薄膜晶體管與顯示裝置，有機薄膜晶體管包含漏極、半導體層、源極、柵極絕緣層與柵極。漏極具有鄰接的頂面與端面。半導體層具有鄰接的水平部與直立部。水平部與直立部分別位于漏極的頂面與端面上，且漏極往遠離直立部的第一方向凸出水平部。源極沿半導體層背對漏極的表面設置。源極具有延伸部，且延伸部往與第一方向相反的第二方向延伸。漏極、半導體層與源極定義出堆疊結構。柵極絕緣層覆蓋堆疊結構，且至少一部分的柵極絕緣層沿堆疊結構的上表面與兩個側面設置。柵極位于該部分的柵極絕緣層上，使得該部分的柵極絕緣層位于堆疊結構與柵極之間。本發明可增加電容、降低寄生電容，進而提高像素區可顯示的面積。

技術領域

本發明是關于一種有機薄膜晶體管及一種具有有機薄膜晶體管的顯示裝置。

背景技術

現今有機薄膜晶體管技術中，有機絕緣層材料的介電常數(Dielectricconstant)不足，但為了達到理想的充電目標，須將有機薄膜晶體管的元件尺寸設計得較大，導致有機薄膜晶體管的技術在產品的應用上和設計上有一定的難度，且在高解析度的產品上尤其明顯。

有機薄膜晶體管包含單柵極結構與雙柵極結構兩種形式。具有單柵極結構的有機薄膜晶體管的穩定性較差。然而在制造方面，相較于單柵極結構，雙柵極結構的有機薄膜晶體管其工藝需采用多道黃光工藝與接觸窗(Contact hole)的蝕刻工藝，工藝復雜度高且工站時間(Tact time)較長。

發明內容

本發明的目的在于提供一種可以增加電容、降低寄生電容，進而提高像素區的顯示面積，又能減少開發和生產的復雜程度及工站時間的有機薄膜晶體管與顯示裝置。

本發明的一方面是提供一種有機薄膜晶體管。

根據本發明一實施方式，一種有機薄膜晶體管包含漏極、半導體層、源極、柵極絕緣層與柵極。漏極具有鄰接的頂面與端面。半導體層具有鄰接的水平部與直立部。水平部與直立部分別位于漏極的頂面與端面上，且漏極往遠離半導體層的直立部的第一方向凸出半導體層的水平部。源極沿半導體層背對漏極的表面設置。源極具有延伸部，且延伸部往與第一方向相反的第二方向延伸。漏極、半導體層與源極定義出堆疊結構。堆疊結構具有上表面與相對的兩個側面。柵極絕緣層覆蓋堆疊結構，且至少一部分的柵極絕緣層沿堆疊結構的上表面與兩個側面設置。柵極位于該部分的柵極絕緣層上，使得該部分的柵極絕緣層位于堆疊結構與柵極之間。

在本發明一實施方式中，上述半導體層的剖面形狀為L形。

在本發明一實施方式中，上述源極具有依序連接的第一部分、第二部分與延伸部，第一部分位于半導體層的水平部上，第二部分位于半導體層的直立部上。

在本發明一實施方式中，上述第一部分與延伸部平行，而第二部分垂直第一部分與延伸部。

在本發明一實施方式中，上述半導體層的水平部具有一端面且與源極的第一部分具有的端面共平面。

在本發明一實施方式中，上述半導體層的水平部位于源極的第一部分與漏極之間。

在本發明一實施方式中，上述柵極絕緣層具有頂部與相對的兩個側壁，柵極絕緣層的頂部位于柵極與源極的第一部分之間，堆疊結構位于柵極絕緣層的兩個側壁之間。

在本發明一實施方式中，上述源極的第一部分與漏極至少部分重疊。

在本發明一實施方式中，上述源極的剖面形狀為階梯狀。

在本發明一實施方式中，上述該部分的柵極絕緣層的剖面形狀為U形。

在本發明一實施方式中，上述半導體層的水平部具有背對直立部的端面，半導體層的水平部的厚度小于水平部的端面與直立部之間的距離。

在本發明一實施方式中，上述水平部的厚度介于10納米至100納米。