[發明專利]具有摻雜的子鰭片區域的非平面半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201710076353.3
• 申請日: 2013-06-20
• 公開（公告）號: CN106847924B
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發明（設計）人: T·甘尼;S·拉蒂夫;C·D·穆納辛格
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 何焜

1.一種集成電路結構，包括：

第一鰭片，包括硅，所述第一鰭片具有子鰭片部分和上鰭片部分；

第二鰭片，包括硅，所述第二鰭片具有子鰭片部分和上鰭片部分；

磷硅酸鹽玻璃PSG層，所述PSG層直接在所述第一鰭片的子鰭片部分的側壁上；

硼硅酸鹽玻璃BSG層，所述BSG層直接在所述第二鰭片的子鰭片部分的側壁上，其中所述BSG層的端部與所述PSG層的端部在所述第一鰭片和所述第二鰭片之間的位置接觸，其中，所述BSG層的端部是終止端，并且所述PSG層的端部是終止端，并且其中，所述BSG層的終止端和所述PSG層的終止端在大致垂直的界面接觸，所述大致垂直的界面在所述BSG層的終止端和所述PSG層的終止端之間；

第一絕緣層，包括氮，所述第一絕緣層直接在所述BSG層上，所述BSG層直接在所述第二鰭片的子鰭片部分的側壁上；

第二絕緣層，包括氮，所述第二絕緣層直接在所述PSG層上且與所述PSG層共形，所述PSG層直接在所述第一鰭片的子鰭片部分的側壁上，所述第二絕緣層在所述第一絕緣層之上且與所述第一絕緣層共形，所述第一絕緣層直接在所述BSG層上，所述BSG層直接在所述第二鰭片的子鰭片部分的側壁上；

電介質填充材料，直接在所述第二絕緣層上，所述第二絕緣層直接在所述PSG層上，所述PSG層直接在所述第一鰭片的子鰭片部分的側壁上，所述電介質填充材料直接在所述第一絕緣層之上的第二絕緣層上，所述第一絕緣層直接在所述BSG層上，所述BSG層直接在所述第二鰭片的子鰭片部分的側壁上，其中所述電介質填充材料包括硅和氧；

第一柵電極，在所述第一鰭片的上鰭片部分的側壁表面上并且側向地鄰近所述第一鰭片的上鰭片部分的側壁表面，所述第一柵電極在所述電介質填充材料之上；以及

第二柵電極，在所述第二鰭片的上鰭片部分的側壁表面上并且側向地鄰近所述第二鰭片的上鰭片部分的側壁表面，所述第二柵電極在所述電介質填充材料之上。

2.如權利要求1所述的集成電路結構，進一步包括：

第一柵極電介質層，在所述第一柵電極和所述第一鰭片的上鰭片部分之間；以及

第二柵極電介質層，在所述第二柵電極和所述第二鰭片的上鰭片部分之間。

3.如權利要求2所述的集成電路結構，其特征在于，所述第一柵極電介質層包括第一高k電介質層，以及其中所述第二柵極電介質層包括第二高k電介質層。

4.如權利要求1所述的集成電路結構，其特征在于，所述第一鰭片的子鰭片部分具有大于2E18原子/cm³的磷濃度。

5.如權利要求1所述的集成電路結構，其特征在于，所述第一鰭片的上鰭片部分具有小于5E17原子/cm³的磷濃度。

6.如權利要求1所述的集成電路結構，其特征在于，所述第一鰭片的子鰭片部分具有大于2E18原子/cm³的磷濃度，以及其中所述第一鰭片的上鰭片部分具有小于5E17原子/cm³的磷濃度。

7.如權利要求1所述的集成電路結構，其特征在于，所述第二鰭片的子鰭片部分具有大于2E18原子/cm³的硼濃度。

8.如權利要求1所述的集成電路結構，其特征在于，所述第二鰭片的上鰭片部分具有小于5E17原子/cm³的硼濃度。

9.如權利要求1所述的集成電路結構，其特征在于，所述第二鰭片的子鰭片部分具有大于2E18原子/cm³的硼濃度，以及其中所述第二鰭片的上鰭片部分具有小于5E17原子/cm³的硼濃度。