[發(fā)明專利]用于蝕刻均勻性控制的可變深度邊緣環(huán)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710076027.2
• 申請日: 2017-02-13
• 公開（公告）號: CN107086168B
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 艾夫林·安格洛夫;克里斯蒂安·賽拉迪;迪恩·拉森;布萊恩·西弗森
• 申請（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 李獻(xiàn)忠;邱曉敏

本發(fā)明提供一種用于蝕刻均勻性控制的可變深度邊緣環(huán)。襯底支撐件包括布置成支撐襯底的內(nèi)部部分、圍繞內(nèi)部部分的邊緣環(huán)以及計(jì)算襯底支撐件的期望凹坑深度的控制器。凹坑深度對應(yīng)于邊緣環(huán)的上表面和襯底的上表面之間的距離。基于期望凹坑深度，控制器選擇性地控制致動(dòng)器以升高和降低邊緣環(huán)和內(nèi)部部分中的至少一個(gè)，以調(diào)節(jié)邊緣環(huán)的上表面和襯底的上表面之間的距離。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2016年2月12日提交的美國臨時(shí)申請No.62/294,593的權(quán)益。上述申請的全部公開內(nèi)容通過引用并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及襯底處理，更具體地涉及用于控制襯底處理中的蝕刻均勻性的系統(tǒng)和方法。

背景技術(shù)

這里提供的背景描述是為了一般地呈現(xiàn)本公開的上下文的目的。目前所署名的發(fā)明人的工作，在該背景技術(shù)部分以及本說明書的在申請時(shí)不會(huì)以其他方式被認(rèn)為是現(xiàn)有技術(shù)的方面中描述的程度上，既不明確地也不隱含地被承認(rèn)為針對本公開的現(xiàn)有技術(shù)。

襯底處理系統(tǒng)可以用于蝕刻諸如半導(dǎo)體晶片之類的襯底上的膜。襯底處理系統(tǒng)通常包括處理室、氣體分配裝置和襯底支撐件。在處理期間，襯底被布置在襯底支撐件上。可以將不同的氣體混合物引入到處理室中，并且射頻(RF)等離子體可以用于激活化學(xué)反應(yīng)。

襯底支撐件可以包括圍繞襯底支撐件的外部部分(例如，在周邊的外部和/或與周邊相鄰)布置的邊緣環(huán)。可以提供邊緣環(huán)以將等離子體限制到襯底上方的體積，保護(hù)襯底支撐件免受等離子體等引起的侵蝕。

發(fā)明內(nèi)容

襯底支撐件包括布置成支撐襯底的內(nèi)部部分、圍繞內(nèi)部部分的邊緣環(huán)以及計(jì)算襯底支撐件的期望凹坑深度的控制器。凹坑深度對應(yīng)于邊緣環(huán)的上表面和襯底的上表面之間的距離。基于期望凹坑深度，控制器選擇性地控制致動(dòng)器以升高和降低邊緣環(huán)和內(nèi)部部分中的至少一個(gè)，以調(diào)節(jié)邊緣環(huán)的上表面和襯底的上表面之間的距離。

一種操作襯底支撐件的方法，包括將襯底布置在襯底支撐件的內(nèi)部部分上并計(jì)算襯底支撐件的期望凹坑深度。凹部深度對應(yīng)于圍繞內(nèi)部部分的邊緣環(huán)的上表面與襯底的上表面之間的距離。該方法還包括基于期望凹坑深度，選擇性地控制致動(dòng)器以升高和降低邊緣環(huán)和內(nèi)部部分中的至少一個(gè)，以調(diào)節(jié)邊緣環(huán)的上表面和襯底的上表面之間的距離。

本公開的其他適用領(lǐng)域?qū)脑敿?xì)描述、權(quán)利要求和附圖中變得顯而易見。詳細(xì)描述和具體示例僅意圖用于說明的目的，并且不旨在限制本公開的范圍。

具體而言，本發(fā)明的一些方面可以描述如下：

1.一種襯底支撐件，包括：

內(nèi)部部分，其布置成支撐襯底；

邊緣環(huán)，其圍繞所述內(nèi)部部分；和

控制器，其

計(jì)算所述襯底支撐件的期望凹坑深度，其中凹坑深度對應(yīng)于所述邊緣環(huán)的上表面與所述襯底的上表面之間的距離，并且

基于所述期望凹坑深度，選擇性地控制致動(dòng)器以升高和降低所述邊緣環(huán)和所述內(nèi)部部分中的至少一個(gè)，以調(diào)節(jié)所述邊緣環(huán)的上表面和所述襯底的上表面之間的距離。

2.根據(jù)條款1所述的襯底支撐件，其中所述邊緣環(huán)布置在所述襯底支撐件的外部部分上，并且為了升高和降低所述邊緣環(huán)，所述控制器控制所述致動(dòng)器以升高和降低所述外部部分。

3.根據(jù)條款1所述的襯底支撐件，其中所述邊緣環(huán)包括能獨(dú)立于所述邊緣環(huán)移動(dòng)的內(nèi)環(huán)部分。

4.根據(jù)條款1所述的襯底支撐件，其中所述內(nèi)部部分相當(dāng)于靜電卡盤。

5.根據(jù)條款1所述的襯底支撐件，其中所述致動(dòng)器使用一個(gè)或多個(gè)致動(dòng)器銷來升高和降低所述邊緣環(huán)和所述內(nèi)部部分中的至少一個(gè)。