[發(fā)明專利]金屬微納超結(jié)構(gòu)表面等離激元超快探測結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710075997.0 | 申請日： | 2017-02-13 |
| 公開（公告）號： | CN106684199B | 公開（公告）日： | 2018-04-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張志東;趙學(xué)峰;崔建功;閆樹斌;薛晨陽 | 申請（專利權(quán)）人： | 中北大學(xué) |
| 主分類號： | H01L31/09 | 分類號： | H01L31/09;H01L31/0232;G01J5/10 |
| 代理公司： | 太原科衛(wèi)專利事務(wù)所(普通合伙)14100 | 代理人： | 朱源 |
| 地址： | 030051 山*** | 國省代碼： | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 金屬 微納超 結(jié)構(gòu) 表面 離激元超快 探測 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.金屬微納超結(jié)構(gòu)表面等離激元超快探測結(jié)構(gòu)，其特征在于包括Si基底（1），Si基底（1）上生長有一層二氧化硅（2），二氧化硅（2）層上設(shè)有一層石墨烯薄膜（3），石墨烯薄膜（3）上兩側(cè)分別都設(shè)有方塊狀金屬Au塊（5），兩方塊狀金屬Au塊（5）之間的石墨烯薄膜（3）設(shè)有一層TiO2（4），TiO2（4）層上均布有球狀金屬Ag（6），球狀金屬Ag（6）上設(shè)有一層石墨烯薄膜覆蓋層（7）。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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