[發明專利]氣體傳感器

有效

• 申請號: 201710075991.3
• 申請日: 2017-02-13
• 公開（公告）號: CN108426921B
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 蔡明志;何羽軒
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: G01N27/12
• 分類號: G01N27/12
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種氣體傳感器，其特征在于，包括：

至少一第一電極，位于第一襯底上，其中所述至少一第一電極包括彼此間隔開的多個第一電極；

傳感結構，位于所述至少一第一電極與所述第一襯底上，所述傳感結構包括：

第一半導體層，具有第一導電型，覆蓋所述第一襯底與所述至少一第一電極，其中所述第一半導體層位于相鄰的兩個第一電極之間以形成所述第一導電型的第一界面；以及

第二半導體層，具有第二導電型，位于所述第一半導體層上，其中所述第一導電型和所述第二導電型的接面形成于所述第一半導體層和所述第二半導體層之間；

至少一第二電極，覆蓋所述傳感結構，其中所述至少一第二電極包括彼此間隔開的多個第二電極，且所述第二半導體層位于相鄰的兩個第二電極之間以形成所述第二導電型的第二界面；以及

第二襯底，覆蓋所述至少一第二電極與所述傳感結構，

其中相鄰的兩個第一電極及位于所述相鄰的兩個第一電極之間的所述第一半導體層構成具有所述第一導電型的所述第一界面的第一傳感器，

相鄰的兩個第二電極及位于所述相鄰的兩個第二電極之間的所述第二半導體層構成具有所述第二導電型的所述第二界面的第二傳感器，且

所述至少一第一電極、所述至少一第二電極、所述第一半導體層和所述第二半導體層構成具有所述第一導電型和所述第二導電型的所述接面的第三傳感器。

2.根據權利要求1所述的氣體傳感器，其中所述第一襯底與所述第二襯底各包括孔洞材料。

3.根據權利要求2所述的氣體傳感器，其中所述至少一第一電極與所述至少一第二電極分別延伸至所述第一襯底與所述第二襯底的孔洞中。

4.根據權利要求1所述的氣體傳感器，其中所述第一半導體層與所述第二半導體層其中之一的材料包括n型半導體材料，所述第一半導體層與所述第二半導體層其中的另一材料包括p型半導體材料。

5.根據權利要求4所述的氣體傳感器，其中所述第一半導體層與所述第二半導體層直接接觸。

6.根據權利要求1所述的氣體傳感器，其中所述多個第一電極包括第一指叉電極與第二指叉電極，所述第一指叉電極具有第一主體部以及多個第一延伸部，所述第二指叉電極具有第二主體部以及多個第二延伸部，其中所述第一主體部以及所述第二主體部相對設置，且所述多個第一延伸部以及所述多個第二延伸部以交替排列的方式設置。

7.根據權利要求6所述的氣體傳感器，其中所述多個第二電極包括第三指叉電極與第四指叉電極，所述第三指叉電極具有第三主體部以及多個第三延伸部，所述第四指叉電極具有第四主體部以及多個第四延伸部，其中所述第三主體部以及所述第四主體部相對設置，且所述多個第三延伸部以及所述多個第四延伸部以交替排列的方式設置。

8.根據權利要求1所述的氣體傳感器，其中所述第一襯底、所述至少一第一電極、所述傳感結構、所述至少一第二電極或所述第二襯底的形成方法包括三維打印法、噴墨印刷法或其組合。

9.根據權利要求1所述的氣體傳感器，其中所述至少一第一電極或所述至少一第二電極具有與外部線路連接的端點。

10.根據權利要求1所述的氣體傳感器，其中所述第一襯底與所述第二襯底的形成方法包括壓印法、真空抽濾法或其組合。

11.根據權利要求1所述的氣體傳感器，其中形成所述至少一第一電極、形成所述第一半導體層、形成所述第二半導體層以及形成所述至少一第二電極的步驟包括三維打印法、噴墨印刷法或其組合。