[發明專利]X射線靶及具備該X射線靶的X射線產生裝置在審
| 申請號： | 201710074315.4 | 申請日： | 2017-02-10 |
| 公開（公告）號： | CN107195516A | 公開（公告）日： | 2017-09-22 |
| 發明（設計）人： | 前田裕樹 | 申請（專利權）人： | 株式會社島津制作所 |
| 主分類號： | H01J35/16 | 分類號： | H01J35/16;H01J35/18;H01J35/24 |
| 代理公司： | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司11019 | 代理人： | 壽寧,張華輝 |
| 地址： | 日本京都府京都*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 射線 具備 產生 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種X射線靶，其特征在于包括：
照射窗，使靶材成膜于表面；
第1框架，與所述照射窗接合，支撐所述照射窗；以及
第2框架，未與所述照射窗接合，而與所述第1框架接合，支撐所述第1框架，由金屬形成；并且
以所述照射窗與所述第1框架的熱膨脹率的差小于所述照射窗與所述第2框架的熱膨脹率的差的方式而構成。
2.根據權利要求1所述的X射線靶，其特征在于：
所述第1框架設置于所述照射窗的外周，所述第2框架設置于所述第1框架的外周。
3.根據權利要求1所述的X射線靶，其特征在于：
所述第2框架的導熱率大于所述第1框架。
4.根據權利要求1所述的X射線靶，其特征在于：
所述第1框架由熱膨脹率5×10-6/K以下的金屬構成，所述第2框架由導熱率200W/m/K以上的金屬構成。
5.根據權利要求1所述的X射線靶，其特征在于：
所述第1框架由鎢或鉬形成，所述第2框架由銅形成。
6.根據權利要求1所述的X射線靶，其特征在于：
所述照射窗為金剛石。
7.一種X射線產生裝置，其特征在于包括：
根據權利要求1至6中任一權利要求所述的X射線靶；以及
容器，收容所述X射線靶。
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