[發明專利]顯示裝置有效
| 申請號: | 201710073159.X | 申請日: | 2017-02-10 |
| 公開(公告)號: | CN107086236B | 公開(公告)日: | 2022-03-04 |
| 發明(設計)人: | 崔允瑄;崔原碩;金喆秀;李相祚 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 王達佐;劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
基板,包括第一區域、第二區域以及位于所述第一區域與所述第二區域之間的第一彎曲區域,其中,所述第一彎曲區域圍繞在第一方向上延伸的第一彎曲軸線彎曲;
第一無機絕緣層,布置在所述基板之上并且至少在所述第一彎曲區域中具有第一開口或第一凹槽;
有機材料層,填充所述第一開口或所述第一凹槽的至少一部分;以及
第一導電層,跨所述第一彎曲區域從所述第一區域延伸到所述第二區域并且位于所述有機材料層之上,
其中,所述有機材料層至少部分地設置在所述第一無機絕緣層的上表面和所述第一導電層之間。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述第一開口或所述第一凹槽與所述第一彎曲區域重疊。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,所述第一開口或所述第一凹槽具有大于所述第一彎曲區域的面積。
4.根據權利要求1所述的顯示裝置,還包括保護膜,所述保護膜位于所述基板的表面上,其中,所述表面與所述第一無機絕緣層相對,并且其中,所述保護膜至少在所述第一彎曲區域中具有保護膜開口。
5.根據權利要求4所述的顯示裝置,其中,所述保護膜開口具有大于所述第一彎曲區域的面積。
6.根據權利要求4所述的顯示裝置,其中,所述保護膜開口具有比所述第一彎曲區域大并且比所述第一開口或所述第一凹槽的面積小的面積。
7.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述有機材料層覆蓋所述第一開口或所述第一凹槽的內側表面。
8.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述有機材料層包括至少部分地不平坦的上表面。
9.根據權利要求8所述的顯示裝置,其中,所述有機材料層的所述上表面的不平坦部分僅設置在所述第一開口或所述第一凹槽中。
10.根據權利要求9所述的顯示裝置,其中,所述有機材料層的所述不平坦部分具有比所述第一彎曲區域大并且比所述第一開口或所述第一凹槽的面積小的面積。
11.根據權利要求8所述的顯示裝置,其中,所述有機材料層的所述上表面包括在所述第一方向上延伸的多個凹槽,并且其中,所述凹槽限定所述上表面的不平坦部分。
12.根據權利要求8所述的顯示裝置,其中,所述第一導電層的上表面具有與所述有機材料層的所述上表面的形狀對應的形狀。
13.根據權利要求8所述的顯示裝置,其中,所述上表面的不平坦部分包括在與所述第一方向交叉的第二方向上的多個突起,并且其中,在所述第一開口或所述第一凹槽的中心部分處的所述突起之間的距離小于在所述第一開口或所述第一凹槽中的其他部分處的所述突起之間的距離。
14.根據權利要求8所述的顯示裝置,其中,所述上表面的不平坦部分包括在與所述第一方向交叉的第二方向上的多個突起,并且其中,從所述基板的上表面到所述第一開口或所述第一凹槽的中心部分處的所述突起的高度大于從所述基板的所述上表面到所述第一開口或所述第一凹槽中的其他部分處的所述突起的高度。
15.根據權利要求8所述的顯示裝置,還包括位于所述第一導電層的上部部分上的應力中和層,其中,所述應力中和層的上表面至少部分地具有與所述上表面的不平坦部分對應的形狀。
16.根據權利要求15所述的顯示裝置,其中,所述應力中和層的所述上表面具有與所述不平坦部分的形狀相同的形狀。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





