[發明專利]陶瓷結構體、其制法及半導體制造裝置用部件

有效

• 申請號: 201710073140.5
• 申請日: 2017-02-10
• 公開（公告）號: CN107135560B
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: 阿閉恭平;西村升;勝田祐司
• 申請（專利權）人: 日本礙子株式會社
• 主分類號: H05B3/26
• 分類號: H05B3/26
• 代理公司: 北京旭知行專利代理事務所(普通合伙) 11432
• 代理人: 王軼;鄭雪娜

1.一種陶瓷結構體，其是在包含50體積％以上的AlN作為主成分的AlN陶瓷基體的表面或內部包含加熱電極的陶瓷結構體，其中，

所述加熱電極包含WC作為主成分，還含有金屬填料，所述金屬填料與AlN相比，電阻率低且熱膨脹系數高，

所述AlN陶瓷基體與所述加熱電極在40～1000℃下的熱膨脹系數的差值的絕對值為0.35ppm/℃以下。

2.根據權利要求1所述的陶瓷結構體，其中，

所述金屬填料為Ru。

3.根據權利要求1所述的陶瓷結構體，其中，

所述金屬填料為Ru合金。

4.根據權利要求3所述的陶瓷結構體，其中，

所述Ru合金為RuAl。

5.根據權利要求1～4中的任一項所述的陶瓷結構體，其中，

所述加熱電極在室溫下的電阻率為3.0×10^-5Ωcm以下。

6.一種半導體制造裝置用部件，其具有權利要求1～5中的任一項所述的陶瓷結構體。

7.一種陶瓷結構體的制法，其中，

在第一基體的一面配置加熱電極，在其上層疊第二基體，制成層疊體，對該層疊體進行熱壓煅燒，由此，得到陶瓷結構體，所述第一基體、所述第二基體是包含50體積％以上的AlN作為主成分的氮化鋁的燒結體、預燒體或成型體，所述加熱電極包含WC作為主成分，還含有金屬填料，所述金屬填料與AlN相比，電阻率低且熱膨脹系數高，

氮化鋁陶瓷基體與所述加熱電極在40～1000℃下的熱膨脹系數的差值的絕對值為0.35ppm/℃以下。

8.根據權利要求7所述的陶瓷結構體的制法，其中，

所述金屬填料為Ru或Ru合金，

設定所述金屬填料的含量，使得所述氮化鋁陶瓷基體與所述加熱電極在40～1000℃下的熱膨脹系數的差值的絕對值為0.35ppm/℃以下。