[發明專利]一種能提高電阻電容型逐次逼近模數轉換器線性度的電容排序方法

有效

• 申請號: 201710072633.7
• 申請日: 2017-02-10
• 公開（公告）號: CN106877869B
• 公開（公告）日: 2020-01-14
• 發明（設計）人: 樊華;李大剛;胡達千;岑遠軍;蘇華英
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H03M1/38
• 分類號: H03M1/38
• 代理公司: 51203 電子科技大學專利中心
• 代理人: 張楊

1.一種能提高電阻電容型逐次逼近模數轉換器線性度的電容排序方法，所述電阻電容型逐次逼近模數轉換器由高6位電容DAC和低8位電阻DAC以及比較器共同組成，所述電容排序方法包括：

步驟1：在混合電阻電容型逐次逼近模數轉換器的正電容陣列和負電容陣列處各設置64個單位電容，將正電容陣列與負電容陣列相對的單位電容分為一組，獲得64組電容；

步驟2：將第一組電容中的正電容接VREFP，負電容接VREFN，其余組的正電容接VREFN，其余組的負電容接VREFP，進行正常的逐次逼近位循環過程，得到對應于第一組電容的數字碼；然后將第二組電容中的正電容接VREFP，負電容接VREFN，其余組的正電容接VREFN，其余組的負電容接VREFP，進行正常的逐次逼近位循環過程，得到對應于第二組電容的數字碼；重復此步驟，直至得到64組電容各自對應的數字碼；

步驟3：根據步驟2獲得的64組電容各自對應的數字碼，將64組電容按電容大小進行排序，排序后的電容組編號為C₁～C₆₄；

步驟4：將64組電容按如下順序排列接入混合電阻電容型逐次逼近模數轉換器的電容陣列處：

C₁、C₆₄、C₂、C₆₃、C₃、C₆₂、C₄、C₆₁、C₅、C₆₀、C₆、C₅₉、C₇、C₅₈、C₈、C₅₇、C₉、C₅₆、C₁₀、C₅₅、C₁₁、C₅₄、C₁₂、C₅₃、C₁₃、C₅₂、C₁₄、C₅₁、C₁₅、C₅₀、C₁₆、C₄₉、C₁₇、C₄₈、C₁₈、C₄₇、C₁₉、C₄₆、C₂₀、C₄₅、C₂₁、C₄₄、C₂₂、C₄₃、C₂₃、C₄₂、C₂₄、C₄₁、C₂₅、C₄₀、C₂₆、C₃₉、C₂₇、C₃₈、C₂₈、C₃₇、C₂₉、C₃₆、C₃₀、C₃₅、C₃₁、C₃₄、C₃₂、C₃₃。