[發明專利]應用于集成電路的輸入過壓保護電路

有效

• 申請號: 201710072195.4
• 申請日: 2017-02-09
• 公開（公告）號: CN106655109B
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發明（設計）人: 李志林;譚磊;王宇
• 申請（專利權）人: 圣邦微電子（北京）股份有限公司
• 主分類號: H02H7/20
• 分類號: H02H7/20;H02H3/20;H02H3/06
• 代理公司: 北京海虹嘉誠知識產權代理有限公司 11129
• 代理人: 吳小燦

1.應用于集成電路的輸入過壓保護電路，其特征在于，包括集成電路芯片，所述集成電路芯片中具有受保護芯片電路，所述集成電路芯片的外部設置有外置過壓保護MOS開關管，所述外置過壓保護MOS開關管位于外部輸入電壓端與受保護芯片電路供電電壓端之間；所述外置過壓保護MOS開關管為第三NMOS管，所述第三NMOS管的漏極連接外部輸入電壓端，所述第三NMOS管的源極連接受保護芯片電路供電電壓端，所述第三NMOS管的柵極通過第一電容接地；所述第三NMOS管的柵極通過第一電阻連接所述第三NMOS管的漏極；所述集成電路芯片中包括第一NMOS管、第二NMOS管和第一倒相放大器；所述第一NMOS管的漏極和所述第二NMOS管的漏極均連接所述第三NMOS管的柵極，所述第一NMOS管的源極連接所述受保護芯片電路供電電壓端，所述第一NMOS管的柵極通過第一倒相放大器連接所述第二NMOS管的柵極，所述第一NMOS管的柵極接收所述受保護芯片電路輸出的過壓控制信號，所述第二NMOS管的源極連接受保護芯片電路中升壓電路。

2.根據權利要求1所述的應用于集成電路的輸入過壓保護電路，其特征在于，所述受保護芯片電路供電電壓端通過第二電容接地，所述第二電容即芯片內部電源濾波電容。

3.根據權利要求1所述的應用于集成電路的輸入過壓保護電路，其特征在于，第一電阻和第一電容構成的RC電路決定所述第三NMOS管柵電壓的啟動速度，即受保護芯片電路供電電壓的上電速度。

4.根據權利要求1所述的應用于集成電路的輸入過壓保護電路，其特征在于，第一電阻和第一電容構成的RC電路時間常數能夠根據實際需要設定。

5.根據權利要求1所述的應用于集成電路的輸入過壓保護電路，其特征在于，所述受保護芯片電路中升壓電路產生一個“受保護芯片電路供電電壓+5伏”的電壓作為所述第三NMOS管的柵極驅動源。

6.根據權利要求1所述的應用于集成電路的輸入過壓保護電路，其特征在于，所述外置過壓保護MOS開關管通過可更換連接結構設置于所述集成電路芯片的封裝結構外部，所述封裝結構的內部包括所述受保護芯片電路和附加電路，所述附加電路從所述受保護芯片電路中獲得過壓控制信號OVP和作為所述外置過壓保護MOS開關管柵極驅動源的電壓。