[發明專利]一種用于生產硅烷的隔壁塔

有效

• 申請號: 201710072132.9
• 申請日: 2017-02-08
• 公開（公告）號: CN106587072B
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發明（設計）人: 吳鋒;田新;王德蕓;崔會為
• 申請（專利權）人: 江蘇鑫華半導體材料科技有限公司
• 主分類號: C01B33/04
• 分類號: C01B33/04
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 肖明芳

1.一種生產硅烷的方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）將液體催化劑通過第一進料口（4）、將三氯氫硅通過第二進料（5）引入隔壁塔中；

（2）上塔區（1）的回流分別進入中塔板區（201）和中填料區（202）；

（3）上塔區（1）采出硅烷，下塔區的第三出料口（9）采出含2~10%質量百分比氯硅烷的液體催化劑，側線的第二出料口（8）采出四氯化硅、三氯氫硅的混合物；

步驟（1）中，所述隔壁塔的塔內參數為：壓力10~30個大氣壓，上塔區溫度-60~-25℃，下塔區溫度120~300℃，回流比0.5~6：1；

步驟（2）中，所述上塔區回流的液相分配比按照下式確定：

Z=AX+BX²+CY

其中，Z為上塔區回流的液相分配比，X為中塔板區的橫截面積與截面總面積之比，Y為隔壁塔回流比，A為1~1.2，B為2~2.5，C為0.4~0.5；

所述隔壁塔的塔身自上而下依次為上塔區（1）、中塔區（2）和下塔區（3），塔身一側為進料側，塔身另一側為出料側；所述中塔區（2）包含靠近進料側的中塔板區（201）和靠近側線出料側的中填料區（202），所述中塔板區和中填料區以隔壁（203）進行分隔；所述上塔區（1）、中塔區（2）和下塔區（3）的長度比例為1：5~20：1~2；所述中塔板區（201）的總塔板數為50~80，所述中填料區（202）采用規整填料，填料的高度和中塔板區相同；

所述進料側在所述中塔板區（201）上部設有第一進料口（4），在所述中塔板區（201）的45~70%高處設有第二進料口（5）、所述下塔區中部設有第三進料口（6）、所述下塔區底部設有第四出料口（11）；

所述出料側在所述隔壁塔的上塔區（1）頂部設有第一出料口（7），所述上塔區上部設有第四進料口（10），在所述中填料區的20~35%高處設有第二出料口（8），在所述隔壁塔的下塔區（3）設有第三出料口（9）。

2.根據權利要求1所述生產硅烷的方法，其特征在于，所述上塔區（1）和下塔區（3）可為空塔或加裝1~15塊塔板。

3.根據權利要求1所述生產硅烷的方法，其特征在于，所述中塔板區（201）的橫截面積為所述隔壁塔的截面55~70%。