[發(fā)明專利]一種氟化鈣晶體表面清洗方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710070812.7
• 申請(qǐng)日: 2017-02-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106944884B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬彬;王可;張莉;程鑫彬;王占山;江浩;蘇靜;崔勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 同濟(jì)大學(xué);上海天粹自動(dòng)化設(shè)備有限公司
• 主分類號(hào): B24B1/00
• 分類號(hào): B24B1/00;B08B3/12
• 代理公司: 上海科盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司31225
• 代理人: 翁惠瑜

1.一種氟化鈣晶體表面清洗方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)利用CeO₂拋光顆粒在瀝青盤(pán)上對(duì)氟化鈣晶體進(jìn)行拋光，拋光時(shí)，轉(zhuǎn)速不超過(guò)15轉(zhuǎn)/分鐘，表面壓強(qiáng)不超過(guò)200千帕，氟化鈣晶體表面粗糙度<0.5nm時(shí)結(jié)束拋光；

2)拋光結(jié)束后的15分鐘內(nèi)，對(duì)氟化鈣晶體進(jìn)行多頻超聲-兆聲復(fù)合頻率清洗；

3)利用磁流變技術(shù)對(duì)氟化鈣晶體進(jìn)行磁流變刻蝕；

4)對(duì)刻蝕后的氟化鈣晶體進(jìn)行多頻超聲-兆聲復(fù)合頻率清洗；

5)利用SiO₂膠體在聚氨酯拋光墊上對(duì)氟化鈣晶體進(jìn)行低速低壓力的二次拋光，氟化鈣晶體表面粗糙度<0.2nm時(shí)結(jié)束拋光，所述SiO₂膠體的粒徑小于CeO₂拋光顆粒的粒徑；

6)對(duì)二次拋光后的氟化鈣晶體進(jìn)行多頻超聲-兆聲復(fù)合頻率清洗。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氟化鈣晶體表面清洗方法，其特征在于，所述CeO₂拋光顆粒為經(jīng)三次水選過(guò)濾的CeO₂顆粒，且CeO₂顆粒的粒徑為0.3-0.5μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氟化鈣晶體表面清洗方法，其特征在于，所述多頻超聲-兆聲復(fù)合頻率清洗具體為：

利用1:1混合的無(wú)水酒精和純度大于98％的丙酮溶液在30℃下清洗3-5分鐘，同時(shí)加載超聲波和兆聲波的多頻循環(huán)振動(dòng)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的氟化鈣晶體表面清洗方法，其特征在于，所述多頻超聲-兆聲復(fù)合頻率清洗中，超聲波頻率為40/80/140/220/270kHz的5頻復(fù)合頻率超聲波，兆聲波頻率為0.47/1.0/1.3MHz的3頻復(fù)合頻率兆聲波，超聲波各個(gè)頻率的持續(xù)時(shí)間為15秒，兆聲波各個(gè)頻率的持續(xù)時(shí)間為20秒，各頻率在低功率下交替循環(huán)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氟化鈣晶體表面清洗方法，其特征在于，所述磁流變刻蝕的刻蝕時(shí)間為3-20分鐘，刻蝕深度為1-3μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氟化鈣晶體表面清洗方法，其特征在于，所述SiO₂膠體的粒徑為10-50nm。