[發明專利]一種基于晶體氧化劑的LBO晶體拋光方法在審
| 申請號： | 201710070742.5 | 申請日： | 2017-02-09 |
| 公開（公告）號： | CN106826408A | 公開（公告）日： | 2017-06-13 |
| 發明（設計）人： | 王占山;朱杰;姬夢 | 申請（專利權）人： | 同濟大學 |
| 主分類號： | B24B1/00 | 分類號： | B24B1/00;B24B13/00;C09G1/02;C30B33/10 |
| 代理公司： | 上海科盛知識產權代理有限公司 31225 | 代理人： | 翁惠瑜 |
| 地址： | 200092 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 晶體 氧化劑 lbo 拋光 方法 | ||
1.一種基于晶體氧化劑的LBO晶體拋光方法，其特征在于，包括以下步驟：
1)采用粒徑小于W10的剛玉粉做磨料在銅合金盤上對LBO晶體進行研磨；
2)采用粒徑不大于1μm的氧化鈰拋光液在瀝青盤上對LBO晶體進行粗拋光，所述氧化鈰拋光液的濃度在所述粗拋光過程中逐步降低；
3)采用粒徑為50nm-100nm的堿性膠體拋光液在聚氨酯拋光墊對LBO晶體進行精拋光，所述堿性膠體拋光液的成分包括二氧化硅、三氧化鋁、三氧化鉬、氧化鈰、氧化鎂中的一種或多種；
4)將LBO晶體表面浸入有機溶劑，用超聲波清洗機進行超聲刻蝕處理；
5)采用無水乙醇和乙醚混合液在瀝青盤上對LBO晶體進行再次拋光。
2.根據權利要求1所述的基于晶體氧化劑的LBO晶體拋光方法，其特征在于，所述步驟1)中，研磨液采用去離子水。
3.根據權利要求1所述的基于晶體氧化劑的LBO晶體拋光方法，其特征在于，所述步驟1)中，LBO晶體通過石蠟和保護片固定在磨具上。
4.根據權利要求1所述的基于晶體氧化劑的LBO晶體拋光方法，其特征在于，所述步驟2)中，氧化鈰拋光液為經超聲波超聲振蕩后的拋光液。
5.根據權利要求1所述的基于晶體氧化劑的LBO晶體拋光方法，其特征在于，所述步驟3)中，堿性膠體拋光液的PH值通過PH值調節劑調整，所述PH值調節劑包括氫氧化鈉、氨水、磷酸二氫鈉、四甲基氫氧化銨、硝酸鐵、氫氧化鉀中的一種或多種。
6.根據權利要求5所述的基于晶體氧化劑的LBO晶體拋光方法，其特征在于，所述步驟3)中，堿性膠體拋光液的PH值為13。
7.根據權利要求1所述的基于晶體氧化劑的LBO晶體拋光方法，其特征在于，所述步驟4)中，加熱有機溶劑且溫度不超過50℃，超聲刻蝕處理的時間不超過45秒。
8.根據權利要求1所述的基于晶體氧化劑的LBO晶體拋光方法，其特征在于，在執行步驟5)后，判斷LBO晶體表面是否存在劃痕，若是，則重復執行步驟2)-5)，且在執行步驟2)時減小氧化鈰拋光液的粒徑，若否，則結束。
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