[發明專利]三相交流電鑒相方法及其鑒相系統

有效

• 申請號: 201710069689.7
• 申請日: 2017-02-08
• 公開（公告）號: CN106707043B
• 公開（公告）日: 2023-10-17
• 發明（設計）人: 陳志平;王保宜;韓德昆;姚良帥
• 申請（專利權）人: 杭州宇諾電子科技有限公司
• 主分類號: G01R29/18
• 分類號: G01R29/18
• 代理公司: 浙江永鼎律師事務所 33233
• 代理人: 陸永強

1.一種三相交流電鑒相系統，包括第一采樣單元(1)、第二采樣單元(2)和第三采樣單元(3)，其特征在于，所述的第一采樣單元(1)通過第一電信號處理電路(4)與第一過零檢測電路(5)相連，所述的第二采樣單元(2)通過第二電信號處理電路(6)與第二過零檢測電路(7)相連，所述的第三采樣單元(3)通過第三電信號處理電路(8)與第三過零檢測電路(9)相連，所述的第一過零檢測電路(5)、第二過零檢測電路(7)和第三過零檢測電路(9)均與中央處理器(10)相連，所述的中央處理器(10)與預先存儲有基波數據的存儲器(11)相連。

2.根據權利要求1所述的三相交流電鑒相系統，其特征在于，所述的第一電信號處理電路(4)包括依次相連的第一預處理電路(41)和第一取波電路(42)，所述的第一預處理電路(41)與第一采樣單元(1)相連，所述的第一取波電路(42)與第一過零檢測電路(5)相連；所述的第二電信號處理電路(6)包括依次相連的第二預處理電路(61)和第二取波電路(62)，所述的第二預處理電路(61)與第二采樣單元(2)相連，所述的第二取波電路(62)與第二過零檢測電路(7)相連；所述的第三電信號處理電路(8)包括依次相連的第三預處理電路(81)和第三取波電路(82)，所述的第三預處理電路(81)與第三采樣單元(3)相連，所述的第三取波電路(82)與第三過零檢測電路(9)相連。

3.根據權利要求1或2所述的三相交流電鑒相系統，其特征在于，所述的第一采樣單元(1)為微功耗高壓取電電路且該微功耗高壓取電電路的輸出端與第一電信號處理電路(4)相連；所述的第二采樣單元(2)為微功耗高壓取電電路且該微功耗高壓取電電路的輸出端與第二電信號處理電路(6)相連；所述的第三采樣單元(3)為微功耗高壓取電電路且該微功耗高壓取電電路的輸出端與第三電信號處理電路(8)相連。

4.根據權利要求3所述的三相交流電鑒相系統，其特征在于，所述的微功耗高壓取電電路包括感應取電電路、運算放大電路和輸出電路；所述的感應取電電路包括電流互感器CT、橋式整流器O1、電容C1、電容C2、二極管D1和電阻R1；所述的運算放大電路包括變壓器T1、運算放大器U1、反相器U2、基準電壓芯片U3、N溝道MOS管Q2、N溝道MOS管Q3、電阻R4、電阻R5、電阻R6，變壓器T1的一端、電阻R4的一端連接二極管D1的陰極，變壓器T1的另一端、基準電壓芯片U3的一端連接運算放大器U1的負輸入端，電阻R4的另一端、電阻R5的一端連接運算放大器U1的正輸入端，電阻R5的另一端、電阻R6的一端連接N溝道MOS管Q2的漏極，運算放大器U1的輸出端連接反相器U2的輸入端，反相器U2的輸出端、N溝道MOS管Q2的柵極連接N溝道MOS管Q3的柵極，N溝道MOS管Q3的漏極連接電阻R3的一端，N溝道MOS管Q3的源極、N溝道MOS管Q2的源極、電阻R6的另一端、基準電壓芯片U3的另一端接地；所述的輸出電路包括N溝道MOS管Q1、電阻R2、電阻R3和電容C3，所述的運算放大電路具有輸入端、接地端和輸出端，所述的電流互感器CT包括互感線圈及與互感線圈相連的兩個交流輸出端，橋式整流器O1具有兩個交流輸入端、一個直流輸出端和接地端，電流互感器CT的兩個交流輸出端分別連接橋式整流器O1的兩個交流輸入端，電容C1的一端、二極管D1的陽極、N溝道MOS管Q1的漏極、電阻R2的一端分別連接橋式整流器O1的直流輸出端，二極管D1的陰極、電容C2的一端、電阻R1的一端均連接運算放大電路的輸入端，運算放大電路的輸出端連接電阻R2的另一端、電阻R3的一端，電阻R3的另一端連接N溝道MOS管Q1的柵極，N溝道MOS管Q1的源極連接電容C3的一端，電容C3的另一端、運算放大電路的接地端、電容C1的另一端、電容C2的另一端、電阻R1的另一端、橋式整流器O1的接地端接地。

5.根據權利要求4所述的三相交流電鑒相系統，其特征在于，所述的中央處理器(10)與當中央處理器(10)檢測到相序錯誤時能使其處于斷開狀態的用電設備保護器(12)相連。