[發明專利]反激電路及電子裝置

有效

• 申請號: 201710069677.4
• 申請日: 2017-02-08
• 公開（公告）號: CN106787766B
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發明（設計）人: 李文東
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H02M3/335
• 分類號: H02M3/335;H02M7/537
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

本發明公開一種反激電路，包括初級線圈端電路及次級線圈端電路，次級線圈端電路包括與負載電路耦接的次級線圈，初級線圈端電路包括開關元件以及串聯于直流電源的正極及地之間的第一初級線圈N1、儲能元件及第二初級線圈；開關元件耦接于第一初級線圈與儲能元件的連接節點及地之間，用于接收PWM信號而周期性的導通截止；儲能元件在所述開關元件截止時儲存反激電路的漏感能量，在所述開關元件導通時將所儲存的漏感能量釋放至次級線圈端電路的負載電路。本發明還提供一種電子裝置。本發明的電子裝置及反激電路，能夠有效吸收利用反激電路產生的漏感能量，提高能量利用率。

技術領域

本發明涉及一種電路，特別涉及一種反激電路及具有反激電路的電子裝置。

背景技術

目前，反激電路已經廣泛應用在顯示器、電腦等電子裝置中。反激電路的一個典型應用就是將直流電源逆變為交流電源。如圖1所示，現有常見的反激電路10'包括串聯于直流電源Y1的正負極之間的初級線圈N1'、開關管Q1'以及次級線圈N2'、與次級線圈N2'耦接的負載電路K0。由于反激電路在工作時容易產生漏感，在開關管Q1'關斷的瞬間，會在開關管Q1'形成電壓尖峰，輕則影響開關管Q1'的壽命，重則造成開關管Q1'擊穿而損壞。現有技術中，如圖1所示，為了避免開關管Q1'被電壓擊穿，在初級線圈側增加了RCD電路K1用以吸收漏感能量，減少開關管Q1'的電壓應力。但該RCD電路K1會將漏感能量消耗，降低反激電路的轉換效率。

發明內容

本發明提供一種反激電路及具有反激電路的電子裝置，能夠通過簡單的結構有效的吸收利用現有反激電路產生的漏感能量。

一種反激電路，包括初級線圈端電路及次級線圈端電路，所述次級線圈端電路包括次級線圈，所述次級線圈與負載電路耦接，所述反激電路用于將接入的直流電源的直流電壓轉換為合適的輸出電壓為次級線圈端電路所耦接的負載電路供電，其中，所述初級線圈端電路包括：串聯于直流電源的正極及地之間的第一初級線圈、儲能元件及第二初級線圈；以及開關元件，耦接于第一初級線圈與儲能元件的連接節點及地之間，用于接收一PWM信號而周期性的導通截止；其中，所述儲能元件在所述開關元件截止時儲存反激電路的漏感能量，在所述開關元件導通時將所儲存的漏感能量釋放至次級線圈端電路所耦接的負載電路。

其中，所述第一初級線圈的非同名端與所述直流電源的正極連接，同名端與所述儲能元件連接，所述第二初級線圈的同名端與所述儲能元件連接，非同名端接地。

其中，所述反激電路還包括一第一二極管，所述第一二極管的負極與所述直流電源的正極連接，正極接地。

其中，所述第一初級線圈與第二初級線圈的線圈匝數相同。

其中，所述第一初級線圈與第二初級線圈采用雙線并繞的方式繞制形成。

其中，所述儲能元件為第一電容。

其中，所述開關元件為MOS管，所述MOS管的漏極與第一初級線圈與儲能元件的連接節點連接，源極接地，柵極與一PWM信號產生器連接，用于接收所述PWM信號產生器產生的PWM信號并相應地導通截止。

其中，當所述MOS管截止時，所述直流電源與所述第一初級線圈、儲能元件及第二初級線圈形成回路，所述直流電源以及反激電路產生的漏感對所述儲能元件進行儲能；當所述MOS管導通時，所述第一初級線圈和/或所述第二初級線圈與次級線圈之間感應形成的等效的輸出電感與所述儲能元件并聯而共同為負載電路供電。

其中，所述次級線圈端電路還包括整流濾波電路，所述整流濾波電路包括第二二極管及第二電容，所述第二二極管的正極與次級線圈的同名端連接，所述第二電容連接于所述第二二極管的負極與所述次級線圈的非同名端之間，所述負載電路與所述第二電容的兩端連接。