[發明專利]有機發光裝置有效
| 申請號: | 201710068709.9 | 申請日: | 2017-02-08 |
| 公開(公告)號: | CN107359257B | 公開(公告)日: | 2021-03-05 |
| 發明(設計)人: | 趙桓熙;金明淑;金成昱;金世勛;黃珍秀 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 周丹;王珍仙 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 裝置 | ||
1.一種有機發光裝置,包括:
第一電極;
面向所述第一電極的第二電極;以及
在所述第一電極和所述第二電極之間的有機層,所述有機層包括發光層,
其中所述有機層包括在所述第一電極和所述發光層之間的空穴傳輸區,
其中所述發光層包括第一化合物和第二化合物作為主體材料以及第四化合物作為摻雜劑材料,并且
所述空穴傳輸區包括第三化合物,
所述第一化合物至所述第四化合物滿足公式1至8:
公式1
E1,LUMO≥E2,LUMO+0.15eV
公式2
E1,HOMO≥E2,HOMO+0.15 eV
公式3
E1,T1≥E4,T1
公式4
E2,T1≥E4,T1
公式5
E3,T1≥E4,T1
公式6
E3,LUMO≥E2,LUMO+0.1 eV
公式7
E3,HOMO≤-5.6 eV
公式8
E能隙1≥E能隙3,
其中,在公式1至8中,
E1,LUMO表示所述第一化合物的最低未占有分子軌道能級,
E2,LUMO表示所述第二化合物的最低未占有分子軌道能級,
E3,LUMO表示所述第三化合物的最低未占有分子軌道能級,
E1,HOMO表示所述第一化合物的最高占有分子軌道能級,
E2,HOMO表示所述第二化合物的最高占有分子軌道能級,
E3,HOMO表示所述第三化合物的最高占有分子軌道能級,
E1,T1表示所述第一化合物的最低激發三線態能級,
E2,T1表示所述第二化合物的最低激發三線態能級,
E3,T1表示所述第三化合物的最低激發三線態能級,
E4,T1表示所述第四化合物的最低激發三線態能級,
E能隙1表示所述第一化合物的最低未占有分子軌道能級和所述第一化合物的最高占有分子軌道能級之間的能隙,并且
E能隙3表示所述第三化合物的最低未占有分子軌道能級和所述第三化合物的最高占有分子軌道能級之間的能隙,并且
所述第一化合物由式1-1、2-1、2-2和3-1中的一個表示,并且
所述第二化合物由式1-2、2-3、2-4和3-2中的一個表示,
式1-1
式1-2
式2-1
式2-2
式2-3
式2-4
式3-1
式3-2
其中,在式1-1、1-2、2-1至2-4、3-1和3-2中,
A11至A14和A21至A23各自獨立地選自C5-C20碳環基和C1-C20雜環基,
X11選自O、S、N[(L12)a12-R12]、C[(L12)a12-R12](R17)、Si[(L12)a12-R12](R17)、P[(L12)a12-R12]、B[(L12)a12-R12]和P(=O)[(L12)a12-R12],
X12選自O、S、N[(L15)a15-R19]、C[(L15)a15-R19](R20)、Si[(L15)a15-R19](R20)、P[(L15)a15-R19]、B[(L15)a15-R19]和P(=O)[(L15)a15-R19],
X21選自N[(L21)a21-R21]、C[(L21)a21-R21](R23)、O和S,
X22選自N[(L22)a22-R22]、C[(L22)a22-R22](R24)、O和S,
X71選自N[(L71)a71-R71]、C[(L71)a71-R71](R73)、O和S,
X72選自N[(L72)a72-R72]、C[(L72)a72-R72](R74)、O和S,
R12和R17任選地結合以形成飽和或不飽和的環,
R19和R20任選地結合以形成飽和或不飽和的環,
L11至L15、L21、L22、L31至L33、L61至L63、L71和L72各自獨立地選自取代或未取代的C3-C10亞環烷基、取代或未取代的C1-C10亞雜環烷基、取代或未取代的C3-C10亞環烯基、取代或未取代的C1-C10亞雜環烯基、取代或未取代的C6-C60亞芳基、取代或未取代的C1-C60亞雜芳基、取代或未取代的二價的非芳族稠合多環基團和取代或未取代的二價的非芳族稠合雜多環基團,
a11至a15、a21、a22、a31至a33、a61至a63、a71和a72各自獨立地選自0、1、2、3、4和5,
R11至R27、R31至R36、R61至R66和R71至R77各自獨立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C10環烷基、取代或未取代的C1-C10雜環烷基、取代或未取代的C3-C10環烯基、取代或未取代的C1-C10雜環烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60雜芳基、取代或未取代的單價的非芳族稠合多環基團、取代或未取代的單價的非芳族稠合雜多環基團、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(=O)(Q1)、-S(=O)2(Q1)和-P(=O)(Q1)(Q2),
b13至b16、b25至b27和b75至b77各自獨立地選自1、2、3和4,
n31至n33和n61至n63各自獨立地選自0、1、2、3和4,
*和*’表示與相鄰原子的結合位點,并且
所述第三化合物由式4表示:
式4
其中,在式4中,選自L41至L43中的至少一個為由式5表示的基團,
式5
,
其中,在式4和5中,
A51選自C5-C20碳環基和C1-C20雜環基,
X51選自N和CR51,
L41至L43各自獨立地選自取代或未取代的C3-C10亞環烷基、取代或未取代的C1-C10亞雜環烷基、取代或未取代的C3-C10亞環烯基、取代或未取代的C1-C10亞雜環烯基、取代或未取代的C6-C60亞芳基、取代或未取代的C1-C60亞雜芳基、取代或未取代的二價的非芳族稠合多環基團和取代或未取代的二價的非芳族稠合雜多環基團,
a41至a43各自獨立地選自0、1、2、3、4和5,
其中當L41為由式5表示的基團時,a41選自1、2、3、4和5;當L42為由式5表示的基團時,a42選自1、2、3、4和5;并且當L43為由式5表示的基團時,a43選自1、2、3、4和5,
R41至R43、R51和R52各自獨立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C10環烷基、取代或未取代的C1-C10雜環烷基、取代或未取代的C3-C10環烯基、取代或未取代的C1-C10雜環烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60雜芳基、取代或未取代的單價的非芳族稠合多環基團、取代或未取代的單價的非芳族稠合雜多環基團、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(=O)(Q1)、-S(=O)2(Q1)和-P(=O)(Q1)(Q2),
選自R41至R43中的至少一個選自取代或未取代的單價的非芳族稠合多環基團和取代或未取代的單價的非芳族稠合雜多環基團,
b52選自1、2、3和4,
*和*’表示與相鄰原子的結合位點,并且
選自所述取代的C3-C10亞環烷基、取代的C1-C10亞雜環烷基、取代的C3-C10亞環烯基、取代的C1-C10亞雜環烯基、取代的C6-C60亞芳基、取代的C1-C60亞雜芳基、取代的二價的非芳族稠合多環基團、取代的二價的非芳族稠合雜多環基團、取代的C1-C60烷基、取代的C2-C60烯基、取代的C2-C60炔基、取代的C1-C60烷氧基、取代的C3-C10環烷基、取代的C1-C10雜環烷基、取代的C3-C10環烯基、取代的C1-C10雜環烯基、取代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫基、取代的C1-C60雜芳基、取代的單價的非芳族稠合多環基團和取代的單價的非芳族稠合雜多環基團的取代基中的至少一個選自由以下組成的組中:
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基;
各自被選自以下的至少一個取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基:氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價的非芳族稠合多環基團、單價的非芳族稠合雜多環基團、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(=O)(Q11)、-S(=O)2(Q11)和-P(=O)(Q11)(Q12);
C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價的非芳族稠合多環基團、單價的非芳族稠合雜多環基團、聯苯基和三聯苯基;
各自被選自以下的至少一個取代的C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價的非芳族稠合多環基團、單價的非芳族稠合雜多環基團、聯苯基和三聯苯基:氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價的非芳族稠合多環基團、單價的非芳族稠合雜多環基團、聯苯基、三聯苯基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(=O)(Q21)、-S(=O)2(Q21)和-P(=O)(Q21)(Q22);以及
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(=O)(Q31)、-S(=O)2(Q31)和-P(=O)(Q31)(Q32),
其中Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33各自獨立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C1-C60雜芳基、單價的非芳族稠合多環基團、單價的非芳族稠合雜多環基團、聯苯基和三聯苯基。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





