[發明專利]用于非平面半導體器件架構的精密電阻器

有效

• 申請號: 201710067644.6
• 申請日: 2013-06-18
• 公開（公告）號: CN106971978B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: J-Y·D·葉;P·J·范德沃爾;W·M·哈菲茲;C-H·簡;C·蔡;J·樸
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/088;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;王英

1.一種器件，包括：

第一鰭狀物和第二鰭狀物，其中所述第一鰭狀物和所述第二鰭狀物包括硅；

所述第一鰭狀物和所述第二鰭狀物之間的隔離區；

在所述隔離區之上但是不在所述第一鰭狀物之上并且不在所述第二鰭狀物之上的電阻器，其中所述電阻器是平面電阻器；

耦合到所述電阻器的導電接觸部；

包括所述第一鰭狀物的一部分的第一晶體管，其中所述第一晶體管包括在所述第一鰭狀物之上的第一柵極電極，所述第一柵極電極包括第一材料和不同于所述第一材料的第二材料，所述第一材料在所述第二材料和所述第一鰭狀物之間，所述第二材料包括鎢，所述第一材料或所述第二材料包括鈦，所述第一晶體管包括所述第一柵極電極和所述第一鰭狀物之間的氧化硅，并且所述第一晶體管包括所述氧化硅和所述第一柵極電極之間的氧化鉿；以及

包括所述第二鰭狀物的一部分的第二晶體管，其中所述第二晶體管包括在所述第二鰭狀物之上的第二柵極電極，所述第二柵極電極包括所述第一材料和所述第二材料，所述第一材料在所述第二材料和所述第二鰭狀物之間，所述第二晶體管包括所述第二柵極電極和所述第二鰭狀物之間的氧化硅，并且所述第二晶體管包括所述氧化硅和所述第二柵極電極之間的氧化鉿。

2.根據權利要求1所述的器件，其中，所述電阻器具有頂部表面，所述頂部表面在所述第一鰭狀物和第二鰭狀物之間的位置處具有的高度大于所述第一鰭狀物的高度并且大于所述第二鰭狀物的高度。

3.根據權利要求1所述的器件，其中，所述導電接觸部延伸進入所述電阻器中的開口中。

4.根據權利要求3所述的器件，其中，所述導電接觸部具有錐形的形狀。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第一材料是功函數設置層。

6.根據權利要求1所述的器件，其中，所述第一鰭狀物和所述第二鰭狀物包括未摻雜的硅。

7.根據權利要求1所述的器件，其中，所述第一鰭狀物和所述第二鰭狀物是圖案化的襯底的一部分。

8.一種集成電路(IC)管芯，包括：

第一鰭狀物和第二鰭狀物，其中所述第一鰭狀物和所述第二鰭狀物包括硅；

所述第一鰭狀物和所述第二鰭狀物之間的隔離區；

在所述隔離區之上但是不在所述第一鰭狀物之上并且不在所述第二鰭狀物之上的電阻器，其中所述電阻器是平面電阻器；

耦合到所述電阻器的導電接觸部；

包括所述第一鰭狀物的一部分的第一晶體管，其中所述第一晶體管包括在所述第一鰭狀物之上的第一柵極電極，所述第一柵極電極包括第一材料和不同于所述第一材料的第二材料，所述第一材料在所述第二材料和所述第一鰭狀物之間，所述第二材料包括鎢，所述第一材料或所述第二材料包括鈦，所述第一晶體管包括所述第一柵極電極和所述第一鰭狀物之間的氧化硅，并且所述第一晶體管包括所述氧化硅和所述第一柵極電極之間的氧化鉿；以及

包括所述第二鰭狀物的一部分的第二晶體管，其中所述第二晶體管包括在所述第二鰭狀物之上的第二柵極電極，所述第二柵極電極包括所述第一材料和所述第二材料，所述第一材料在所述第二材料和所述第二鰭狀物之間，所述第二晶體管包括所述第二柵極電極和所述第二鰭狀物之間的氧化硅，并且所述第二晶體管包括所述氧化硅和所述第二柵極電極之間的氧化鉿。

9.根據權利要求8所述的IC管芯，其中，所述第一晶體管和所述第二晶體管包括在處理器件中。