[發(fā)明專利]一種以金屬酞菁化合物作為電子傳輸層的平面鈣鈦礦光伏電池

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• 申請日: 2017-02-07
• 公開（公告）號: CN106848065A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 晉芳芳
• 申請（專利權(quán)）人: 晉芳芳
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種以金屬酞菁化合物作為電子傳輸層的平面鈣鈦礦光伏電池，包括透明導(dǎo)電襯底、空穴傳輸層、鈣鈦礦吸光層、電子傳輸層、電極修飾層和金屬電極；其特征在于所述電子傳輸層是覆蓋在鈣鈦礦光吸收層上的金屬酞菁化合物薄膜。

2.如權(quán)利要求1所述的平面鈣鈦礦光伏電池，其特征在于，所述的透明導(dǎo)電襯底為沉積有ITO、FTO、AZO的玻璃襯底或者柔性襯底。

3.如權(quán)利要求1所述的平面鈣鈦礦光伏電池，其特征在于，所述的空穴傳輸層為PEDOT:PSS、CuI、CuSCN、NiO、spiro-OMeTAD、P3HT、PTAA、PF8-TAA、PDPPDBTE、polyTPD中的一種。

4.如權(quán)利要求1所述的平面鈣鈦礦光伏電池，其特征在于所述的鈣鈦礦吸光層為CH3NH3PbI3、CH3NH3PbI3-xClx、CH3NH3PbBr3、CsPbI3、CsPbI3-xClx、CsPbBr3中的一種。

5.如權(quán)利要求1所述的平面鈣鈦礦光伏電池，其特征在于，所述的電子傳輸層通過真空熱沉積的方法制備，為F16CuPc、CuPc、SnclPc、ZnPc、SubPc、PbPc、ClAlPc中的一種。

6.如權(quán)利要求1所述的平面鈣鈦礦光伏電池，其特征在于，所述的電極修飾層為BAlQ3、Bphen、BCP、AlQ3、TPBI中的一種。

7.如權(quán)利要求1所述的平面鈣鈦礦光伏電池，其特征在于，所述的金屬電極為Au、Ag、Al或者其合金中的一種。

8.如權(quán)利要求1所述的平面鈣鈦礦光伏電池，其特征在于，器件的制備包括以下步驟：

透明導(dǎo)電襯底采用丙酮、玻璃清洗劑依次清洗，丙酮、去離子水、異丙醇中各超聲處理10分鐘；氮氣吹干后紫外燈照射處理10分鐘；

在透明導(dǎo)電襯底上制備空穴傳輸層；

在空穴傳輸層上制備鈣鈦礦光吸收層；

在鈣鈦礦光吸收層上制備電子傳輸層；

在電子傳輸層上制備電極修飾層；

在電極修飾層上制備金屬電極。

9.如權(quán)利要求1、5、8中所述的電子傳輸層，其特征在于其制備包括以下步驟:

(1)打開超高真空沉積系統(tǒng)，裝入生長好鈣鈦礦吸光層的襯底和金屬配合物材料；

(2)超高真空沉積系統(tǒng)抽真空至壓力小于10^-4Pa后，開始真空沉積電子傳輸層；

(3)使用石英晶振片監(jiān)控電子傳輸層的膜厚，電子傳輸層的膜厚在20-80 nm，沉積速率控制在0.05-0.2 nm/s。