[發明專利]填充通孔以減少空隙和其它缺陷的方法在審
| 申請號： | 201710067127.9 | 申請日： | 2017-02-06 |
| 公開（公告）號： | CN107087354A | 公開（公告）日： | 2017-08-22 |
| 發明（設計）人： | N·嘉雅拉朱;L·巴斯塔德;Z·尼亞茲伊別特娃;J·狄茨維斯澤柯 | 申請（專利權）人： | 羅門哈斯電子材料有限責任公司 |
| 主分類號： | H05K3/42 | 分類號： | H05K3/42 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司31100 | 代理人： | 陳哲鋒,胡嘉倩 |
| 地址： | 美國馬*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 填充 減少 空隙 其它 缺陷 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種方法，其包含：
a)提供具有多個通孔的襯底，包含在所述襯底的表面和所述多個通孔的壁上的無電銅、閃鍍銅或其組合的層；
b)將所述襯底浸沒在包含陽極的銅電鍍浴中；以及
c)通過包含以下的直流電循環用銅填充所述通孔：施加電流密度持續第一預定時間段，接著斷開直流電持續第二預定時間段并且隨后打開所述直流電并且施加較低電流密度持續第三預定時間段。
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述直流電密度在1ASD到5ASD范圍內。
3.根據權利要求2所述的方法，其中所述直流電密度在1.5ASD到4ASD范圍內。
4.根據權利要求1所述的方法，其中所述較低電流密度在0.5ASD到3ASD范圍內。
5.根據權利要求1所述的方法，其中所述較低電流密度在0.5ASD到2ASD范圍內。
6.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一預定時間段是5分鐘到30分鐘。
7.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二預定時間段是0.5分鐘到10分鐘。
8.根據權利要求1所述的方法，其中所述第三預定時間段是60分鐘到200分鐘。
9.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底是100μm厚或更大。
10.根據權利要求9所述的方法，其中所述襯底是200μm到300μm厚。
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