[發明專利]磁盤的制造方法及信息記錄介質用玻璃基板

有效

• 申請號: 201710066079.1
• 申請日: 2013-05-31
• 公開（公告）號: CN107032603B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 中島哲也;辻村知之;西澤學;小池章夫
• 申請（專利權）人: AGC株式會社
• 主分類號: C03C3/085
• 分類號: C03C3/085;C03C3/087;C03C3/091;G11B5/73;G11B5/84
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

1.一種磁盤的制造方法，其包括在溫度為550℃以上的玻璃基板上形成磁記錄層的工序，其中，

該玻璃基板以摩爾百分率計含有63％以上且小于71％的SiO₂、11～14％的Al₂O₃、0以上且小于2％的B₂O₃、合計大于18％且為22％以下的MgO、CaO、SrO和BaO中的任意一種以上的成分，上述7種成分的含量合計為95％以上，并且含有合計小于1％的Li₂O、Na₂O和K₂O中的任意一種以上的成分、或者這3種成分均不含有，

所述玻璃基板以質量百分率計含有大于18％的Al₂O₃，并且

所述玻璃基板的比模量為32MNm/kg以上。

2.如權利要求1所述的磁盤的制造方法，其中，所述玻璃基板以摩爾百分率計含有合計為10.5～20％的MgO和CaO中的任意一種以上的成分。

3.如權利要求1或2所述的磁盤的制造方法，其中，所述玻璃基板以摩爾百分率計含有6％以上的MgO。

4.如權利要求1或2所述的磁盤的制造方法，其中，所述玻璃基板的比模量為32.5MNm/kg以上。

5.如權利要求1或2項所述的磁盤的制造方法，其中，所述玻璃基板的耐酸性指標A為0.025nm/小時以下。

6.如權利要求1或2所述的磁盤的制造方法，其中，所述玻璃基板的耐堿性指標B為0.28nm/小時以下。

7.如權利要求1或2所述的磁盤的制造方法，其中，所述玻璃基板的粘度達到10²dPa·s時的溫度T₂為1710℃以下。

8.如權利要求1或2所述的磁盤的制造方法，其中，所述玻璃基板的退火點為650℃以上。

9.一種信息記錄介質用玻璃基板，其中，所述玻璃基板以摩爾百分率計含有63％以上且小于71％的SiO₂、11～14％的Al₂O₃、0以上且小于2％的B₂O₃、合計大于18％且為22％以下的MgO、CaO、SrO和BaO中的任意一種以上的成分，上述7種成分的含量合計為95％以上，并且含有合計小于1％的Li₂O、Na₂O和K₂O中的任意一種以上的成分、或者這3種成分均不含有，所述玻璃基板以質量百分率計含有大于18％的Al₂O₃，并且所述玻璃基板的比模量為32MNm/kg以上。

10.如權利要求9所述的信息記錄介質用玻璃基板，其中，所述信息記錄介質為磁盤。