[發明專利]一種可發多種復合光及單色光LED芯片的制備方法

在審

• 申請號: 201710065573.6
• 申請日: 2017-02-06
• 公開（公告）號: CN106784215A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 侯想
• 申請（專利權）人: 福建中晶科技有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/08;H01L33/32;H01L33/00
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• 代理人: 暫無信息

1.一種可發多種復合光及單色光LED芯片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、NP-PN外延結構的生長；

S11、將圖形化藍寶石襯底放入外延生長爐MOCVD中，采用有緩沖buffer層的外延程序生長，生長采用氫氣作為載氣，使用Ga源、In源、N源和P型摻雜劑、N型摻雜劑，襯底在反應室內經過高溫熱處理去除表面雜質；

S12、采用二步法生長，先生長一層10～50nm的低溫GaN緩沖層buffer，然后升溫生長4μm的N型GaN材料。 LED結構的樣品在此基礎上繼續生長由1～100個周期InxGa1-xN/GaN構成的有源區量子阱，其上是10～50nm的P型AlGaN電子阻擋層，最后生長400nm～550nm的P型GaN接觸層；

S13、繼續在步驟S2中的結構上面生長10～50nm的P型AlGaN電子阻擋層，然后生長1～100個周期的GaN/InyGa1-yN構成的有源區，最后生長200nm～400nm的N型GaN接觸層；

S2、芯片制程；

S21、完成步驟S1中的外延生長后，分別通過mesa-1光刻、mesa-1刻蝕和通過mesa-2光刻、mesa-2刻蝕，然后通過NP光刻、鍍金屬Ni/Cu后，剝離清洗，最后在芯片表面沉積一層SiO₂保護層，去除電極表面的SiO₂，成為成品芯片。

2.根據權利要求1所述的一種可發多種復合光及單色光LED芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟S11中的圖形化藍寶石襯底可以替換為SiC襯底或Si襯底。

3.根據權利要求1所述的一種可發多種復合光及單色光LED芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟S11中的Ga源、In源、N源分別為三甲基鎵、三甲基銦和氨氣。

4.根據權利要求1所述的一種可發多種復合光及單色光LED芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟S11中的P型摻雜劑、N型摻雜劑分別是二茂鎂和硅烷。

5.根據權利要求1所述的一種可發多種復合光及單色光LED芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中的外延結構可以替換制成PN-NP結構或NP-PN-NP，并且后面每增加一層外延結構，發光層增加一層。