[發明專利]一種量子點膜及背光模組有效
| 申請號： | 201710065026.8 | 申請日： | 2017-02-04 |
| 公開（公告）號： | CN106855199B | 公開（公告）日： | 2019-12-17 |
| 發明（設計）人： | 王允軍;席玉坤;方龍 | 申請（專利權）人： | 蘇州星爍納米科技有限公司 |
| 主分類號： | F21S8/00 | 分類號： | F21S8/00;F21V9/40 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州市工業*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 量子 背光 模組 | ||
1.一種量子點膜，其特征在于，包括具有水氧阻隔能力的基底和均勻分布在所述基底上的多個量子點模塊，所述量子點模塊包括量子點和均勻分散有量子點的高分子材料，每個所述量子點模塊的周圍設置有阻隔層，所述阻隔層與所述基底將所述量子點模塊夾在中間，相鄰的量子點模塊之間以所述阻隔層間隔。
2.根據權利要求1所述的量子點膜，其特征在于：所述量子點膜還包括填充在所述阻隔層之間的基質。
3.根據權利要求1所述的量子點膜，其特征在于：所述阻隔層包括環氧聚合物。
4.根據權利要求1所述的量子點膜，其特征在于：所述高分子材料包括丙烯酸類聚合物。
5.根據權利要求1所述的量子點膜，其特征在于：每個所述量子點模塊的粒徑范圍為0.01-2mm。
6.根據權利要求5所述的量子點膜，其特征在于：每個所述量子點模塊的粒徑范圍為0.1-1mm。
7.根據權利要求1所述的量子點膜，其特征在于：所述阻隔層的厚度范圍為0.1-2mm。
8.根據權利要求7所述的量子點膜，其特征在于：所述阻隔層的厚度范圍為0.5-1mm。
9.根據權利要求1所述的量子點膜，其特征在于：所述量子點模塊中所述量子點的含量大于0.5％。
10.根據權利要求1所述的量子點膜，其特征在于：所述量子點包括II-VI、IV-VI、III-V、I-VI族化合物單一結構和復合結構量子點中的至少一種。
11.根據權利要求10所述的量子點膜，其特征在于：所述量子點為核殼結構，構成所述量子點的核包括CdSe、CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnS、PbSe、ZnTe、CdSeS、PbS、PbTe、HgS、HgSe、HgTe、GaN、GaP、GaAs、InP、InAs、InZnP、InGaP、InGaN、CdZnSe、CdZnSeS中的至少一種；構成所述量子點的殼包括ZnSe、ZnS、ZnSeS、ZnTe、CdSe、CdZnSe、CdZnSeS、CdTe中的至少一種。
12.一種背光模組，其特征在于，包括光源和位于所述光源出光方向上的量子點膜，所述量子點膜包括如權利要求1-11中任一所述的量子點膜。
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