[發明專利]集成電路器件在審
| 申請號: | 201710064474.6 | 申請日: | 2017-02-04 |
| 公開(公告)號: | CN107154412A | 公開(公告)日: | 2017-09-12 |
| 發明(設計)人: | 黃任鋒;簡榮亮 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,李偉 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 器件 | ||
技術領域
本發明的實施例涉及集成電路器件。
背景技術
圖像傳感器器件包括用于檢測光和記錄檢測的光的強度的像素陣列。例如,像素陣列通過積聚電荷響應于光。光的強度越高,像素陣列中積聚的電荷越高。積聚的電荷用于提供用于合適的應用中(諸如,數碼相機)的圖像信息。一些圖像傳感器器件使用相位差檢測像素進行自動對焦(AF)。相位差通過處理圖像感測像素之中的焦點檢測像素工作。焦點檢測像素的信號輸出用于檢測由不同焦點檢測像素產生的信號之間的相位差。檢測的相位差可以用于進行AF。
發明內容
本發明的實施例提供了一種集成電路器件,包括:焦點檢測像素,包括位于襯底中的感光單元和非感光單元;以及透鏡,設置在所述焦點檢測像素上方,其中,所述感光單元和所述非感光單元相對于所述透鏡的光軸彼此相對設置,并且穿過所述透鏡的光束同時入射至所述感光單元和所述非感光單元。
本發明的另一實施例提供了一種集成電路器件,包括:多個圖像感測像素;焦點檢測像素對,設置在所述圖像感測像素之間并且包括第一焦點檢測像素和第二焦點檢測像素,其中,所述第一焦點檢測像素包括第一側處的第一感光單元和第二側處的第一非感光單元,并且所述第二焦點檢測像素包括第二側處的第二感光單元和第一側處的第二非感光單元;以及透鏡,分別設置在所述圖像感測像素、所述第一焦點檢測像素和所述第二焦點檢測像素上方,其中,所述第一側和所述第二側相對于所述透鏡的光軸彼此相對,穿過位于所述第一焦點檢測像素上方的所述透鏡的光束同時入射至所述第一感光單元和所述第一非感光單元,并且穿過位于所述第二焦點檢測像素上方的所述透鏡的光束同時入射至所述第二感光單元和所述第二非感光單元。
本發明的又一實施例提供了一種集成電路器件,包括:多個圖像感測像素;焦點檢測像素對,包括第一焦點檢測像素和第二焦點檢測像素,其中,所述第一焦點檢測像素包括第一感光單元和第一非感光單元,并且所述第二焦點檢測像素包括第二感光單元和第二非感光單元;以及透鏡,分別設置在所述圖像感測像素、所述第一焦點檢測像素和所述第二焦點檢測像素上方,其中,位于所述第一焦點檢測像素上方的所述透鏡的尺寸和位于所述第二焦點檢測像素上方的所述透鏡的尺寸分別大于位于所述圖像感測像素上方的所述透鏡的尺寸。
附圖說明
當結合附圖進行閱讀時,從以下詳細描述可最佳理解本發明的各個方面。應該指出,根據工業中的標準實踐,各個部件未按比例繪制。實際上,為了清楚的討論,各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。
圖1是根據一些實施例的示出集成電路器件的示意圖。
圖2是根據一些實施例的示出集成電路器件的示意圖。
圖3是根據一些實施例的示出集成電路器件的示意圖。
圖4是根據一些實施例的示出集成電路器件的示意圖。
圖5是根據一些實施例的示出集成電路器件的示意圖。
具體實施方式
以下公開內容提供了許多用于實現所提供主題的不同特征的不同實施例或實例。下面描述了組件和布置的具體實例以簡化本發明。當然,這些僅僅是實例,而不旨在限制本發明。例如,以下描述中,在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸形成的實施例,并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件,從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實例。此外,本發明可在各個實施例中重復參考標號和/或字符。該重復是為了簡單和清楚的目的,并且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關系。
而且,為便于描述,在此可以使用諸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空間相對術語,以描述如圖所示的一個元件或部件與另一個(或另一些)原件或部件的關系。除了圖中所示的方位外,空間相對術語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉90度或在其他方位上),而本文使用的空間相對描述符可以同樣地作出相應的解釋。
圖1是根據一些實施例的示出集成電路器件的示意圖。
參照圖1,在一些實施例中,集成電路器件100包括多個圖像感測像素110、至少一個焦點檢測像素對120、濾色鏡150和透鏡160。該附圖以簡化的方式示出。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





