[發明專利]半導體裝置及其制造方法有效
| 申請號： | 201710064351.2 | 申請日： | 2017-02-04 |
| 公開（公告）號： | CN107068741B | 公開（公告）日： | 2020-09-15 |
| 發明（設計）人： | 藤田光一 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/417 | 分類號： | H01L29/417;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;張天舒 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體裝置，其具有大于或等于3個階層的電極，
該半導體裝置的特征在于，具有：
半導體襯底；
外延層，其形成于所述半導體襯底之上；
晶體管，其形成于所述外延層；
源極電極，其形成于所述外延層之上，與所述晶體管的源極電連接；以及
柵極引出電極，其形成于所述外延層之上，與所述晶體管的柵極電連接，
所述源極電極具有：
第1源極電極；
第2源極電極，其是第2階層或者更高階層的電極，形成于所述第1源極電極之上；以及
第3源極電極，其是第3階層或者更高階層的電極，形成于所述第2源極電極之上，且形成于所述柵極引出電極的上方，
所述柵極引出電極是第2階層或者更高階層的電極，形成于所述第1源極電極之上，所述柵極引出電極的周圍被所述第1、第2及第3源極電極包圍。
2.一種半導體裝置，其具有大于或等于2個階層的電極，
該半導體裝置的特征在于，具有：
半導體襯底；
外延層，其形成于所述半導體襯底之上，形成有源極溝槽；
晶體管，其形成于所述外延層；
源極電極，其形成于所述外延層之上，與所述晶體管的源極電連接；以及
柵極引出電極，其形成于所述外延層之上，與所述晶體管的柵極電連接，
所述源極電極具有：
第1源極電極，其形成于所述源極溝槽內；以及
第2源極電極，其是第2階層或者更高階層的電極，形成于所述第1源極電極之上，且形成于所述柵極引出電極的上方，
所述柵極引出電極形成于所述第1源極電極之上，所述柵極引出電極的周圍被所述第1及第2源極電極包圍。
3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，
還具有在所述柵極引出電極和所述源極電極之間形成的絕緣膜。
4.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，
所述柵極引出電極和所述源極電極之間是中空構造。
5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，具有：
漏極電極，其形成于所述外延層之上，與所述晶體管的漏極電連接；以及
源極焊盤，其形成于所述漏極電極的上方，與所述源極電極電連接，
所述漏極電極和所述源極焊盤之間是與所述柵極引出電極的周圍的中空構造進行了電磁屏蔽的單獨的中空構造。
6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，
所述源極焊盤形成為將所述晶體管的有源部的上方覆蓋。
7.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，具有：
源極接觸孔，其將所述源極電極和所述源極焊盤電連接；
柵極焊盤，其與所述柵極引出電極電連接；
漏極焊盤，其與所述漏極電極電連接；以及
在所述源極焊盤、所述柵極焊盤以及所述漏極焊盤之上分別形成的源極凸塊電極、柵極凸塊電極以及漏極凸塊電極，
所述源極凸塊電極形成于所述源極接觸孔的正上方。
8.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，具有：
源極接觸孔，其將所述源極電極和所述源極焊盤電連接；
柵極焊盤，其與所述柵極引出電極電連接；
漏極焊盤，其與所述漏極電極電連接；以及
在所述源極焊盤、所述柵極焊盤以及所述漏極焊盤之上分別形成的源極凸塊電極、柵極凸塊電極以及漏極凸塊電極，
所述源極凸塊電極形成于所述源極接觸孔的正上方。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三菱電機株式會社，未經三菱電機株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710064351.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
