[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及電子設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710063863.7 | 申請日: | 2017-02-04 |
| 公開(公告)號: | CN107046040B | 公開(公告)日: | 2023-08-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 松田慎平;坂倉真之;山崎舜平 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社半導(dǎo)體能源研究所 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 中國貿(mào)促會專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038 | 代理人: | 何楊 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 電子設(shè)備 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置,包括:
包括第一晶體管的第一電路;以及
包括第二晶體管的第二電路,
其中,所述第一晶體管包括第一半導(dǎo)體層及第一背柵極,
所述第二晶體管包括第二半導(dǎo)體層,
所述第一半導(dǎo)體層包含第一氧化物半導(dǎo)體,
所述第二半導(dǎo)體層包含第二氧化物半導(dǎo)體,該第二氧化物半導(dǎo)體具有與所述第一氧化物半導(dǎo)體不同的電子親和勢,
所述第一電路通過使所述第一晶體管處于開啟狀態(tài)寫入數(shù)據(jù)并且通過使所述第一晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)保持所述數(shù)據(jù),
所述第二電路通過使所述第二晶體管處于開啟狀態(tài)對所述第一背柵極供應(yīng)使所述第一晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)的電位并且通過使所述第二晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)保持所述電位,
并且,所述第二晶體管的閾值電壓高于將所述第一背柵極的電位設(shè)定為與所述第一晶體管的源極或柵極相同的電位時(shí)的所述第一晶體管的閾值電壓。
2.一種半導(dǎo)體裝置,包括:
包括第一晶體管的第一電路;以及
包括第二晶體管的第二電路,
其中,所述第一晶體管包括第一半導(dǎo)體層及第一背柵極,
所述第二晶體管包括第二半導(dǎo)體層及第二背柵極,
所述第一半導(dǎo)體層包含第一氧化物半導(dǎo)體,
所述第二半導(dǎo)體層包含第二氧化物半導(dǎo)體,該第二氧化物半導(dǎo)體具有與所述第一氧化物半導(dǎo)體不同的電子親和勢,
所述第一電路通過使所述第一晶體管處于開啟狀態(tài)寫入數(shù)據(jù)并且通過使所述第一晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)保持所述數(shù)據(jù),
所述第二電路通過使所述第二晶體管處于開啟狀態(tài)對所述第一背柵極供應(yīng)使所述第一晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)的電位并且通過使所述第二晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)保持所述電位,
并且,將所述第二背柵極的電位設(shè)定為與所述第二晶體管的源極或柵極相同的電位時(shí)的所述第二晶體管的閾值電壓高于將所述第一背柵極的電位設(shè)定為與所述第一晶體管的源極或柵極相同的電位時(shí)的所述第一晶體管的閾值電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置,其中所述第一晶體管和所述第二晶體管設(shè)置在同一表面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置,
其中,所述第二晶體管還包括一對半導(dǎo)體層,該一對半導(dǎo)體層的頂面及側(cè)面被所述第二半導(dǎo)體層覆蓋,
并且,所述一對半導(dǎo)體層包含與所述第一半導(dǎo)體層所包含的半導(dǎo)體材料相同的半導(dǎo)體材料。
5.一種包括權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置、以及選自天線、電池、操作開關(guān)、麥克風(fēng)和揚(yáng)聲器中的一種或多種的電子設(shè)備。
6.一種包括權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置、以及分離區(qū)域的半導(dǎo)體晶片。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





