[發(fā)明專利]半導體裝置及電子設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710063863.7
• 申請日: 2017-02-04
• 公開（公告）號: CN107046040B
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發(fā)明（設計）人: 松田慎平;坂倉真之;山崎舜平
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 中國貿(mào)促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 何楊

1.一種半導體裝置，包括：

包括第一晶體管的第一電路；以及

包括第二晶體管的第二電路，

其中，所述第一晶體管包括第一半導體層及第一背柵極，

所述第二晶體管包括第二半導體層，

所述第一半導體層包含第一氧化物半導體，

所述第二半導體層包含第二氧化物半導體，該第二氧化物半導體具有與所述第一氧化物半導體不同的電子親和勢，

所述第一電路通過使所述第一晶體管處于開啟狀態(tài)寫入數(shù)據(jù)并且通過使所述第一晶體管處于關閉狀態(tài)保持所述數(shù)據(jù)，

所述第二電路通過使所述第二晶體管處于開啟狀態(tài)對所述第一背柵極供應使所述第一晶體管處于關閉狀態(tài)的電位并且通過使所述第二晶體管處于關閉狀態(tài)保持所述電位，

并且，所述第二晶體管的閾值電壓高于將所述第一背柵極的電位設定為與所述第一晶體管的源極或柵極相同的電位時的所述第一晶體管的閾值電壓。

2.一種半導體裝置，包括：

包括第一晶體管的第一電路；以及

包括第二晶體管的第二電路，

其中，所述第一晶體管包括第一半導體層及第一背柵極，

所述第二晶體管包括第二半導體層及第二背柵極，

所述第一半導體層包含第一氧化物半導體，

所述第二半導體層包含第二氧化物半導體，該第二氧化物半導體具有與所述第一氧化物半導體不同的電子親和勢，

所述第一電路通過使所述第一晶體管處于開啟狀態(tài)寫入數(shù)據(jù)并且通過使所述第一晶體管處于關閉狀態(tài)保持所述數(shù)據(jù)，

所述第二電路通過使所述第二晶體管處于開啟狀態(tài)對所述第一背柵極供應使所述第一晶體管處于關閉狀態(tài)的電位并且通過使所述第二晶體管處于關閉狀態(tài)保持所述電位，

并且，將所述第二背柵極的電位設定為與所述第二晶體管的源極或柵極相同的電位時的所述第二晶體管的閾值電壓高于將所述第一背柵極的電位設定為與所述第一晶體管的源極或柵極相同的電位時的所述第一晶體管的閾值電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體裝置，其中所述第一晶體管和所述第二晶體管設置在同一表面上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體裝置，

其中，所述第二晶體管還包括一對半導體層，該一對半導體層的頂面及側(cè)面被所述第二半導體層覆蓋，

并且，所述一對半導體層包含與所述第一半導體層所包含的半導體材料相同的半導體材料。

5.一種包括權(quán)利要求1或2所述的半導體裝置、以及選自天線、電池、操作開關、麥克風和揚聲器中的一種或多種的電子設備。

6.一種包括權(quán)利要求1或2所述的半導體裝置、以及分離區(qū)域的半導體晶片。