[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710063863.7
• 申請日: 2017-02-04
• 公開（公告）號: CN107046040B
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 松田慎平;坂倉真之;山崎舜平
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 中國貿(mào)促會專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 何楊

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

包括第一晶體管的第一電路；以及

包括第二晶體管的第二電路，

其中，所述第一晶體管包括第一半導(dǎo)體層及第一背柵極，

所述第二晶體管包括第二半導(dǎo)體層，

所述第一半導(dǎo)體層包含第一氧化物半導(dǎo)體，

所述第二半導(dǎo)體層包含第二氧化物半導(dǎo)體，該第二氧化物半導(dǎo)體具有與所述第一氧化物半導(dǎo)體不同的電子親和勢，

所述第一電路通過使所述第一晶體管處于開啟狀態(tài)寫入數(shù)據(jù)并且通過使所述第一晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)保持所述數(shù)據(jù)，

所述第二電路通過使所述第二晶體管處于開啟狀態(tài)對所述第一背柵極供應(yīng)使所述第一晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)的電位并且通過使所述第二晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)保持所述電位，

并且，所述第二晶體管的閾值電壓高于將所述第一背柵極的電位設(shè)定為與所述第一晶體管的源極或柵極相同的電位時(shí)的所述第一晶體管的閾值電壓。

2.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

包括第一晶體管的第一電路；以及

包括第二晶體管的第二電路，

其中，所述第一晶體管包括第一半導(dǎo)體層及第一背柵極，

所述第二晶體管包括第二半導(dǎo)體層及第二背柵極，

所述第一半導(dǎo)體層包含第一氧化物半導(dǎo)體，

所述第二半導(dǎo)體層包含第二氧化物半導(dǎo)體，該第二氧化物半導(dǎo)體具有與所述第一氧化物半導(dǎo)體不同的電子親和勢，

所述第一電路通過使所述第一晶體管處于開啟狀態(tài)寫入數(shù)據(jù)并且通過使所述第一晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)保持所述數(shù)據(jù)，

所述第二電路通過使所述第二晶體管處于開啟狀態(tài)對所述第一背柵極供應(yīng)使所述第一晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)的電位并且通過使所述第二晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)保持所述電位，

并且，將所述第二背柵極的電位設(shè)定為與所述第二晶體管的源極或柵極相同的電位時(shí)的所述第二晶體管的閾值電壓高于將所述第一背柵極的電位設(shè)定為與所述第一晶體管的源極或柵極相同的電位時(shí)的所述第一晶體管的閾值電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一晶體管和所述第二晶體管設(shè)置在同一表面上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，

其中，所述第二晶體管還包括一對半導(dǎo)體層，該一對半導(dǎo)體層的頂面及側(cè)面被所述第二半導(dǎo)體層覆蓋，

并且，所述一對半導(dǎo)體層包含與所述第一半導(dǎo)體層所包含的半導(dǎo)體材料相同的半導(dǎo)體材料。

5.一種包括權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置、以及選自天線、電池、操作開關(guān)、麥克風(fēng)和揚(yáng)聲器中的一種或多種的電子設(shè)備。

6.一種包括權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置、以及分離區(qū)域的半導(dǎo)體晶片。