[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法、襯底處理裝置及襯底處理方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710063648.7
• 申請日: 2017-02-03
• 公開（公告）號: CN107204273B
• 公開（公告）日: 2019-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 竹田剛
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社國際電氣
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01J37/317;C23C16/44
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 陳偉;王娟娟

本發(fā)明提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)均勻的襯底處理的半導(dǎo)體器件的制造方法、襯底處理裝置及襯底處理方法。在襯底處理裝置中，具有：反應(yīng)管，其在內(nèi)部形成對襯底進(jìn)行處理的處理室；加熱裝置，其設(shè)在反應(yīng)管的外部，對處理室進(jìn)行加熱；氣體供給部，其設(shè)在反應(yīng)管內(nèi)，供給對襯底進(jìn)行處理的處理氣體；和等離子體生成部，其具備電極，該電極以包圍反應(yīng)管的外壁整周的方式交替地設(shè)有與高頻電源連接的第一電極部和接地的第二電極部，等離子體生成部至少根據(jù)高頻電源的頻率和對電極施加的電壓來確定相鄰的第一電極部與第二電極部的電極間距離。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法、襯底處理裝置及襯底處理方法。

背景技術(shù)

作為半導(dǎo)體器件(device)的制造工序的一個(gè)工序，有時(shí)進(jìn)行如下襯底處理：將襯底搬入到襯底處理裝置的處理室內(nèi)，向處理室內(nèi)供給原料氣體和反應(yīng)氣體，來在襯底上形成絕緣膜、半導(dǎo)體膜、導(dǎo)體膜等各種膜，或者除去各種膜。

在形成有精細(xì)圖案的量產(chǎn)器件中，為了抑制雜質(zhì)的擴(kuò)散、能夠使用有機(jī)材料等耐熱性低的材料而謀求低溫化。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2007-59527號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

為了解決這樣的問題，一般使用等離子體來進(jìn)行襯底處理，但是，由等離子體生成的離子和/或自由基等活性種根據(jù)種類而量和壽命存在偏差，因此難以均勻地對膜進(jìn)行處理。

本發(fā)明的目的在于提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)均勻的襯底處理的技術(shù)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方案，提供如下技術(shù)：

襯底處理裝置具有：反應(yīng)管，在其內(nèi)部形成對襯底進(jìn)行處理的處理室；加熱裝置，其設(shè)在上述反應(yīng)管的外部，對上述處理室進(jìn)行加熱；氣體供給部，其設(shè)在上述反應(yīng)管內(nèi)，供給對上述襯底進(jìn)行處理的處理氣體；和等離子體生成部，其具備電極，該電極以包圍上述反應(yīng)管的外壁整周的方式交替地設(shè)有與高頻電源連接的第一電極部和接地的第二電極部，上述等離子體生成部的相鄰的上述第一電極部與上述第二電極部的電極間距離至少由上述高頻電源的頻率和對上述電極施加的電壓確定，基于上述電極間距離來設(shè)置上述第一電極部和上述第二電極部。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種可實(shí)現(xiàn)均勻的襯底處理的技術(shù)。

附圖說明

圖1是在本發(fā)明的第1實(shí)施方式中優(yōu)選使用的襯底處理裝置的縱型處理爐的概略結(jié)構(gòu)圖，是以縱截面表示處理爐部分的圖。

圖2是在本發(fā)明的實(shí)施方式中優(yōu)選使用的襯底處理裝置的縱型處理爐的概略結(jié)構(gòu)圖，是示出圖1中用A-A線剖切處理爐部分得到的圖。

圖3是用于說明圖1所示的襯底處理裝置中的等離子體生成部的結(jié)構(gòu)的圖。

圖4是圖1所示的襯底處理裝置中的控制器的概略結(jié)構(gòu)圖，是表示控制器的控制系統(tǒng)的一例的框圖。

圖5是表示使用圖1所示的襯底處理裝置的襯底處理工藝的一例的流程圖。

圖6是表示本發(fā)明中的第1實(shí)施方式的變形例1的圖。

圖7是表示本發(fā)明中的第1實(shí)施方式的變形例2的圖，(a)是表示第1變形例2的圖，(b)是表示第2變形例2的圖，(c)是表示第3變形例2的圖，(d)是表示第4變形例2的圖，(e)是表示第5變形例2的圖。

附圖標(biāo)記說明

200…晶片，201…處理室，203…反應(yīng)管，207…加熱器(加熱裝置)，217…舟皿，232a、232b、232c、232d…氣體供給管，249a、249b…噴嘴，250a、250b、250c…氣體供給孔，300…電極，310…高頻電源