[發明專利]氣體供應裝置及方法

有效

• 申請號: 201710063581.7
• 申請日: 2017-02-03
• 公開（公告）號: CN108385071B
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發明（設計）人: 李乾銘;陳俊吉;林世杰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08;C23C16/455;H01L43/12
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

一種氣體供應裝置，包含一氣體供應頭、一第一盤體、一第二盤體以及一旋轉致動器。第一盤體具有至少一開口。第一盤體的開口與第二盤體在氣體供應頭上的投影是重疊的。第二盤體包含多個扇形區域。該些扇形區域是沿著該第二盤體的角向方向排列的，該些扇形區域內的氣孔分布不同。旋轉致動器用以驅動第一盤體、第二盤體或其組合，使得第一盤體與第二盤體在角向方向上相對旋轉。

技術領域

本揭露涉及一種氣體供應裝置，且特別涉及一種氣體供應裝置及其氣體供應方法。

背景技術

在半導體制程中，普遍采用氣體供應裝置來提供適當的氣體(例如氣體前驅物)至基材上，以形成預定的元件。以磁阻隨機存取記憶體(Magneto-resistive Random AccessMemory；MRAM)為例，磁阻隨機存取記憶體通常包含磁穿遂接面(Magnetic TunnelJunction；MTJ)結構。磁穿遂接面結構包含多個磁層或磁極，這些磁層或磁極是由非磁性絕緣層所隔開。此絕緣層可藉由對金屬執行氧化制程所實現。一般的氧化制程是將欲氧化的基材放置于氣體供應室中，接著對該基材提供適當的氧氣，以形成適當的氧化物。

發明內容

在一些實施方式中，一種氣體供應裝置包含一氣體供應頭、一第一盤體、一第二盤體以及一旋轉致動器。第一盤體具有至少一開口。第一盤體的開口與第二盤體在氣體供應頭上的投影是重疊的。第二盤體包含多個扇形區域。此些扇形區域是沿著該第二盤體的角向方向排列的，此些扇形區域內的氣孔分布不同。旋轉致動器用以驅動第一盤體、第二盤體或其組合，使得第一盤體與第二盤體在角向方向上相對旋轉。

在一些實施方式中，一種氣體供應裝置包含一氣體供應頭、一第一盤體、一第二盤體以及一旋轉致動器。第一盤體包含多個氣體遮擋部。此些氣體遮擋部是沿著第一盤體的角向方向排列的，并定義一開口于其間。第二盤體包含多個局部區域。此些局部區域內的氣孔分布不同。此些局部區域的一者與開口在氣體供應頭上的投影是重疊的。此些局部區域的另一者與此些氣體遮擋部的一者在氣體供應頭上的投影是重疊的。旋轉致動器用以驅動第一盤體、第二盤體或其組合，使得第一盤體與第二盤體在角向方向上相對旋轉。

在一些實施方式中，一種氣體供應方法包含提供氣體至位于一上盤體上方的一排氣口；旋轉位于上盤體下方的一下盤體，使得下盤體的一開口移動至上盤體的一第一局部區域；以及旋轉下盤體，使得下盤體的開口移動至上盤體的一第二局部區域，其中第一局部區域與第二局部區域的氣孔分布不同。

以下結合附圖和具體實施例對本發明進行詳細描述，但不作為對本發明的限定。

附圖說明

圖1繪示依據本揭露一些實施方式的薄膜形成裝置的示意圖；

圖2繪示依據本揭露一些實施方式的第一盤體的俯視圖；

圖3繪示依據本揭露一些實施方式的可搭配第一盤體使用的第二盤體的俯視圖；

圖4A至9A繪示第一盤體被旋轉至不同方位時，第一盤體的開口所露出的第二盤體的局部區域的示意圖；

圖4B至9B繪示與圖4A至9A分別對應的晶圓上的氣體分布圖；

圖10繪示依據本揭露一些實施方式的氣體供應方法的流程圖；

圖11繪示依據本揭露一些實施方式的第一盤體的俯視圖；

圖12繪示依據本揭露一些實施方式的可搭配第一盤體使用的第二盤體的俯視圖；

圖13繪示依據本揭露一些實施方式的第一盤體的俯視圖；

圖14繪示依據本揭露一些實施方式的可搭配第一盤體使用的第二盤體的俯視圖；

圖15繪示依據本揭露一些實施方式的第二盤體的俯視圖；

圖16繪示依據本揭露一些實施方式的第二盤體的俯視圖。