[發明專利]一種功率模塊及其制造方法

有效

• 申請號: 201710063230.6
• 申請日: 2017-01-24
• 公開（公告）號: CN108346637B
• 公開（公告）日: 2019-10-08
• 發明（設計）人: 李慧;楊勝松;廖雯祺;楊欽耀;李艷;張建利;曾秋蓮
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/60
• 代理公司: 深圳眾鼎專利商標代理事務所(普通合伙) 44325
• 代理人: 譚果林

1.一種功率模塊，其特征在于，包括：

絕緣介質基板，包括圖形化的第一導電層和設于所述第一導電層之上的第一絕緣層，所述第一絕緣層開設有第一導電路徑；

第二絕緣層，設置于所述第一絕緣層之上，所述第二絕緣層開設有第二導電路徑；

圖形化的第二導電層，設置于所述第二絕緣層之上；

至少一個功率半導體芯片，嵌設于所述第一絕緣層和第二絕緣層之間；

其中，所述功率半導體芯片通過所述第一導電路徑與所述第一導電層形成電氣連接，且通過所述第二導電路徑與所述第二導電層形成電氣連接，以構成功率電路；所述絕緣介質基板開設有從所述功率半導體芯片一側到達或貫穿所述第一導電層的第一通孔，在所述第一通孔填充導電物質形成所述第一導電路徑；

所述第二絕緣層開設有從所述功率半導體芯片一側到達或貫穿所述第二導電層的第二通孔，在所述第二通孔填充導電物質形成所述第二導電路徑。

2.如權利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述功率半導體芯片嵌于所述第一絕緣層與所述第二絕緣層圍合形成空腔內，所述空腔由開設在所述第一絕緣層和/或所述第二絕緣層上的槽孔形成。

3.如權利要求1或2所述的功率模塊，其特征在于，還包括引出端子，所述引出端子的一端與第一導電層、第一絕緣層或第二導電層固定連接，并電氣連接到所述功率半導體芯片相應的極性引腳上，所述引出端子的另一端向外伸出。

4.如權利要求3所述的功率模塊，其特征在于，所述引出端子包括控制端子和功率端子，所述控制端子和功率端子分別位于半橋功率模塊相對兩側。

5.如權利要求1所述的功率模塊，其特征在于，還包括散熱器，所述散熱器設置所述第一導電層的下表面和/或所述第二導電層的上表面。

6.如權利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述絕緣介質基板為PCB板。

7.如權利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述第二絕緣層為半固化片。

8.一種功率模塊的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

設置一絕緣介質基板，所述絕緣介質基板包括第一導電層和設于所述第一導電層之上的第一絕緣層；

將至少一個功率半導體芯片設于所述第一絕緣層上；

在所述第一絕緣介質基板上設置第二絕緣層，使所述功率半導體芯片嵌設于所述第一絕緣層和第二絕緣層之間；

在所述第二絕緣層上設置第二導電層；

在所述絕緣介質基板上開設使所述第一導電層和所述功率半導體芯片電氣連接的第一導電路徑，在所述第二絕緣層上開設使所述第二導電層和所述功率半導體芯片電氣連接的第二導電路徑；

在所述絕緣介質基板上開設使所述第一導電層和所述功率半導體芯片電氣連接的第一導電路徑的步驟具體為：

在所述絕緣介質基板上開設有從所述第一導電層一側貫穿到所述功率半導體芯片的極性引腳的第一通孔；

在所述第一通孔填充導電物質形成所述第一導電路徑。

9.如權利要求8所述的功率模塊的制造方法，其特征在于，所述將至少一個功率半導體芯片設于所述第一絕緣層上的步驟具體為：

在所述第一絕緣層遠離所述第一導電層一側表面上的開設槽孔，將所述功率半導體芯片嵌設于所述槽孔內。

10.如權利要求8所述的功率模塊的制造方法，其特征在于，在將至少一個功率半導體芯片設于所述第一絕緣層上時，還設置控制端子和功率端子，使所述控制端子和功率端子的一端與所述第一絕緣層固定連接，另一端向外伸出；或

設置第二導電層時，設置控制端子和功率端子，使所述控制端子和功率端子的一端與所述第二導電層固定連接，另一端向外伸出；

其中，所述控制端子和功率端子分別位于所述功率模塊相對兩側。