[發明專利]具有側線采出次級反應器的氧化系統

在審

• 申請號: 201710063187.3
• 申請日: 2010-12-09
• 公開（公告）號: CN107011153A
• 公開（公告）日: 2017-08-04
• 發明（設計）人: A.謝克;D.朗格
• 申請（專利權）人: 奇派特石化有限公司
• 主分類號: C07C51/265
• 分類號: C07C51/265;C07C63/26
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 王倫偉,周李軍

1.通過使包含對二甲苯的漿料與氣相氧化劑接觸生產對苯二甲酸的系統，所述系統包括：

包括第一漿料出口的初級氧化反應器；和

包括漿料入口、第二漿料出口、通常下部的氧化劑入口和通常上部的氧化劑入口的次級氧化反應器，

其中所述漿料入口與所述第一漿料出口下游側流體流連通，

其中所述次級氧化反應器在其內限定了具有最大長度L_S的次級反應區，

其中所述通常下部的氧化劑入口距所述次級反應區底部小于0.5L_S，

其中所述通常上部的氧化劑入口距所述次級反應區底部至少0.5L_S；且

其中所述初級氧化反應器為泡罩塔反應器，以及所述次級氧化反應器為泡罩塔反應器。

2.權利要求1的系統，其中所述通常上部的氧化劑入口和所述通常下部的氧化劑入口在它們之間限定了用于將所述氣相氧化劑引入所述次級反應區內的總開口面積，其中所述通常上部的氧化劑入口限定了所述總開口面積的5%至49%。

3.權利要求1的系統，其中所述通常上部的氧化劑入口距所述次級反應區底部至少0.55L_S。

4.權利要求1的系統，其中所述通常上部的氧化劑入口包括噴灑器，其中所述噴灑器包括多個氧化劑排出口。

5.權利要求4的系統，其中大部分所述氧化劑排出口取向為朝通常向下的方向排出所述氣相氧化劑。

6.權利要求1的系統，其中所述通常上部的氧化劑入口距所述漿料入口小于0.4L_S。

7.權利要求1的系統，其中所述次級氧化反應器包括至少兩個上部的氧化劑入口，各自分別距所述次級反應區底部至少0.5L_S。

8.權利要求1的系統，其中所述次級反應區具有最大直徑D_S，其中所述反應區的L_S:D_S比在14：1至28：1的范圍。

9.權利要求1的系統，其中所述初級氧化反應器在其內限定了具有最大長度L_P的初級反應區，其中所述第一漿料出口距所述初級反應區的通常頂端和通常底端中的每一端至少0.1L_P，其中所述初級反應區與所述次級反應區的體積比在4：1至50：1的范圍。

10.制造對苯二甲酸組合物的方法，所述方法包括：

(a) 使包括可氧化化合物的第一多相反應介質在限定于初級氧化反應器中的初級反應區中氧化，從而產生第一漿料，其中所述可氧化化合物包含對二甲苯；和

(b) 使所述第一漿料的至少一部分在限定于次級氧化反應器中的次級反應區中與氣相氧化劑接觸，從而產生第二漿料，其中所述氣相氧化劑包含空氣，

其中所述次級反應區具有最大長度L_S，

其中所述氣相氧化劑的第一部分在第一氧化劑入口區域引入所述次級反應區，其中所述第一氧化劑入口區域距所述次級反應區底部至少0.5L_S，

其中所述氣相氧化劑的所述第一部分占引入所述次級反應區的所述氣相氧化劑總體積的5%至49%；且

其中所述初級氧化反應器為泡罩塔反應器，以及所述次級氧化反應器為泡罩塔反應器；和

其中所述次級反應區包含第二氧化劑入口區域。

11.權利要求10的方法，其中所述氣相氧化劑的所述第一部分占引入所述次級反應區內的所述氣相氧化劑總體積的5%至35%，其中所述第一氧化劑入口區域距所述次級反應區底部至少0.55L_S，其中所述氣相氧化劑的第二部分在距所述次級反應區底部小于0.3L_S的所述第二氧化劑入口區域引入所述次級反應區。

12.權利要求10的方法，其中所述第一漿料的至少一部分在漿料入口區域引入所述次級氧化反應器，其中所述第一氧化劑入口區域位于所述漿料入口區域的0.4L_S以內。