[發(fā)明專利]包括橫向晶體管的半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710063176.5
• 申請日: 2017-02-03
• 公開（公告）號(hào): CN107026207B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: F.希爾勒;A.毛德;A.邁澤;T.施勒澤
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 申屠偉進(jìn);杜荔南

1.一種半導(dǎo)體器件（1），包括：

漂移接觸區(qū)（218）；

第一導(dǎo)電類型的漏極區(qū)（204），所述漂移接觸區(qū)（218）和所述漏極區(qū)（204）布置在與半導(dǎo)體襯底（100）的第一主表面（110）平行的第一方向上；

層堆疊（241），包括第一導(dǎo)電類型的漂移層（211）和第二導(dǎo)電類型的補(bǔ)償層（221），所述漏極區(qū)（204）與所述漂移層（211）電連接；

第二導(dǎo)電類型的本體區(qū)（250）；

從所述半導(dǎo)體襯底（100）的第一主表面（110）延伸并且延伸到所述層堆疊（241）中的第二導(dǎo)電類型的連接區(qū)（222），所述連接區(qū)（222）與所述補(bǔ)償層（221）電連接；以及

在所述層堆疊（241）下方并且與所述連接區(qū)（222）電接觸的掩埋半導(dǎo)體部分（253），

其中，所述掩埋半導(dǎo)體部分（253）不與所述漂移層（211）完全重疊，

其中在所述第一方向上，所述層堆疊（241）置于所述漏極區(qū)（204）與所述漂移接觸區(qū)（218）之間，并且所述漂移接觸區(qū)（218）置于所述層堆疊（241）與所述本體區(qū)（250）之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件（1），其中，所述層堆疊（241）是水平層堆疊，并且所述漂移層（211）是所述層堆疊（241）的最下層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件（1），進(jìn)一步包括源極區(qū)（201）和與所述本體區(qū)（250）相鄰的柵電極（210）。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件（1），其中，所述柵電極（210）配置成控制在所述本體區(qū)（250）中形成的溝道（213）的導(dǎo)電性，所述溝道（213）經(jīng)由晶體管接觸部分（217）和漂移接觸區(qū)（218）電連接到所述漂移層（211）。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件（1），其中，所述柵電極（210）被設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底（100）的第一主表面（110）中的柵極溝槽（212）中，所述柵電極（210）配置成控制在所述本體區(qū)（250）中形成的溝道（213）的導(dǎo)電性，所述溝道電連接到所述漂移層（211）。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件（1），其中，所述柵極溝槽（212）從所述源極區(qū)（201）橫向延伸到所述層堆疊（241）。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件（1），進(jìn)一步包括在所述層堆疊（241）下方與所述漏極區(qū)（204）電接觸的第一導(dǎo)電類型的掩埋半導(dǎo)體部分（252）。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件（1），進(jìn)一步包括在所述層堆疊（241）上方的第一場板（255），所述第一場板（255）布置在遠(yuǎn)離所述漏極區(qū)（204）的一側(cè)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件（1），進(jìn)一步包括在所述層堆疊（241）上方的第二場板（256），所述第二場板（256）布置在所述漏極區(qū)（204）的一側(cè)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件（1），進(jìn)一步包括第一摻雜類型的相反摻雜部分（251），所述相反摻雜部分（251）嵌入在所述掩埋半導(dǎo)體部分（253）中并且直接與接觸所述漂移層（211）的漂移接觸區(qū)（218）相鄰。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件（1），其中，所述掩埋半導(dǎo)體部分（253）被設(shè)置在所述連接區(qū)（222）下方并且與所述連接區(qū)（222）直接接觸。

12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件（1），其中，所述層堆疊（241）包括三個(gè)漂移層（211）和三個(gè)補(bǔ)償層（221）。

13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件（1），其中，所述掩埋半導(dǎo)體部分（253）具有軟摻雜分布，在所述軟摻雜分布中，摻雜濃度沿其降低到摻雜濃度的參考值的1/e的值的特征長度大于0.5μm。