[發明專利]一種半導體芯片的制作方法在審
| 申請號： | 201710061857.8 | 申請日： | 2017-01-26 |
| 公開（公告）號： | CN106784198A | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發明（設計）人： | 徐平 | 申請（專利權）人： | 湘能華磊光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/36;H01L33/38 |
| 代理公司： | 長沙七源專利代理事務所(普通合伙)43214 | 代理人： | 鄭雋,周曉艷 |
| 地址： | 423038 湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 芯片 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體芯片的制作方法，其特征在于，包括步驟：
A、在襯底材料上制作外延層：
B、在外延層上制作導電擴展層：導電擴展層的成分為銦錫氧化物，其成分比例為銦錫比95:5，膜層厚度為
C、在外延層上刻蝕出相應晶粒圖形，露出N型GaN層臺階：刻蝕深度1-2μm，切割道的寬度在10μm-30μm之間。
2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，還包括：
在N型GaN層臺階上制作N型電極，N型電極線的寬度3-10μm。
3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述N型電極厚度1-4μm。
4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，步驟C中，用FeCl3與HCl的混合溶液濕法蝕刻掉暴露的導電擴展層。
5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，步驟A中，所述襯底材料為藍寶石、碳化硅、硅中的任意一種。
6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，電極制作完后，在芯片表面沉積一層絕緣保護膜，保護膜層厚度
7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述絕緣保護膜的膜層材料包括氧化硅、氮化硅、氧化鋁中的任意一種絕緣透明材料。
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