[發明專利]具有共模抑制的差分傳輸線

在審

• 申請號: 201710061659.1
• 申請日: 2017-01-26
• 公開（公告）號: CN107666031A
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發明（設計）人: T·S·馬沙爾;D·W·烏克;D·班內
• 申請（專利權）人: 是德科技股份有限公司
• 主分類號: H01P3/08
• 分類號: H01P3/08
• 代理公司: 北京坤瑞律師事務所11494
• 代理人: 封新琴

1.一種差分傳輸線(100)，包括：

護層；

第一導電結構(212)，其沿著所述差分傳輸線(100)布置并在所述護層內，并且有助于形成三維電磁場；

第二導電結構(214)，其沿著所述差分傳輸線(100)布置并在所述護層內，并且有助于形成所述三維電磁場；和

電阻層(150)，其被對準以實質上垂直于所述三維電磁場的第一模式(3)的電場分量，并且提供對所述三維電磁場的第二模式(3)的電場分量的吸收。

2.根據權利要求1所述的差分傳輸線(100)

其中，所述差分傳輸線(100)包括電纜，

其中，所述第一導電結構(212)包括第一導線，并且

其中，所述第二導電結構(214)包括第二導線。

3.根據權利要求1所述的差分傳輸線(100)

其中，所述第一導電結構(212)和所述第二導電結構(214)具有實質上相同的橫截面。

4.根據權利要求1所述的差分傳輸線(100)，還包括：

第一介電層(325)，其在所述第一導電結構(212)和所述第二導電結構(214)之間。

5.根據權利要求4所述的差分傳輸線(100)，還包括：

第二介電層(330)；和

組件(320)，其包括所述第一介電層(325)、所述第一導電結構(212)和所述第二導電結構(214)，

其中，所述第二介電層(330)設置在所述組件(320)和所述護層之間。

6.根據權利要求1所述的差分傳輸線(100)

其中，所述第一導電結構(212)和所述第二導電結構(214)關于所述差分傳輸線(100)的軸對稱地設置。

7.根據權利要求1所述的差分傳輸線(100)

其中，通過實質上平行于所述三維電磁場的第二模式(3)的電場分量,所述電阻層(150)衰減所述三維電磁場的第二模式(3)，以便提供所述電場分量的吸收。

8.根據權利要求1所述的差分傳輸線(100)

其中，所述護層在橫向于所述差分傳輸線(100)的傳播方向的橫截面中形成封閉形狀。

9.根據權利要求1所述的差分傳輸線(100)

其中，所述第一導電結構(212)具有平行四邊形側面，并且

其中，所述第二導電結構(214)具有平行四邊形側。

10.根據權利要求1所述的差分傳輸線(100)

其中，所述第一模式(3)包括所述三維電磁場的奇模(3)，并且

其中，選擇所述電阻層(150)的電阻率以便保持所述三維電磁場的奇模(3)的場分量的傳播。